光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数；光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等；为使器件能长期稳定可靠地工作，必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件，并且要使器件在额定条件下才能使用。相干接收：在接收设备中利用载波相位信息去检测并接收信号。深圳30G PIN光电探测器分析

光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，一般在毫安级，但光照特性较差，多用于要求输出电流较大的场合。光电三极管有pnp和npn型两种结构，常用材料有硅和锗。例如用硅材料制作的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变化影响小，所以得到位广泛应用。下面以3DU型光电三极管为例说明它的结构、工作原理与主要特性。3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管。3DU管的结构和普通晶体管类似，只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射，受光面即集电结（bc结）面积比一般晶体管大。另外，它是利用光控制集电极电流的，所以在基极上既可设置引线进行电控制，也可以不设，完全同光一控制。它的工作原理是工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即要保证集电结反偏置，发射正偏听偏置。由于集电结是反偏压，在结区有很强的内建电场，对3DU管来讲，内建电场方向是由c到b的。和光电二极管工作原理相同。光电探测器使用方法利用外光电效应制成的光子型探测器是真空电子器件，如光电管、光电倍增管和红外变像管等。

响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示，载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分：上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。决定探测器响应速度的因素主要有：⑴、耗尽区载流子渡越时间：载流子的渡越时间是影响探测器响应速度的很重要因素，当耗尽区电场强度达到比较大时，Wd表示载流子的比较大漂移速度，W表示耗尽区宽度，那么载流子的渡越时间为：t=W/Vd⑵耗尽区外载流子扩散时间：载流子扩散的速度较慢，同时大多数产生于耗尽区之外的载流子的寿命非常短，复合发生速度快。所以扩散运动只对距离耗尽区范围较近的载流子才能通过扩散运动达到耗尽区中，并在电场中漂移产生光电流。

PN结加正向电压时，产生多子电流，与光生电流方向相反，并且电流比光生电流大得多，此时无法作为光探测器。PN结处于反向偏压状态时，产生的光电子会被反向偏压迅速通过电场与电极收集，产生反向光电流，通过检测光电流大小即可得到光功率强度。处于零偏压的PN结可作为光电池使用。一个大面积的PN结，做好上下极的接触引线便构成一个光电池。一般光敏面做成梳齿状，可以减小光生载流子的复合以提高能量转换效率，减小串联电阻。对于光电池，负载电阻较大时，输出线性较差，可获得较大的输出电压，对于不同的入射光强，也会具有不同的最大输入功率，往往采用多个光电池的串-并联组合运用。APD适用于接收灵敏度要求高的长距离传输和高速率通信系统。

雪崩光电二级管（APD）是得用光生载流子在高电场区内的雪崩效应而获得光电流增益，具有灵敏度高、响应快等优点，通常用于激光测距、激光雷达、弱光检测（非线性）。APD雪崩倍增的过程是：当光电二极管的p-n结加相当大的反向偏压时，在耗尽层内将产生一个很高的电场，它足以使在强电场区漂移的光生载流子获得充分的动能，通过与晶格原子碰撞将产生新的电子-空穴对。新的电子-空穴对在强电场作用下，分别向相反的方向运动，在运动过程中又可能与原子碰撞再一次产生新的电子-空穴对。如此反复，形成雪崩式的载流子倍增加。这个过程就是APD的工作基础。APD一般在略低于反向南穿电压值的反偏压下工作。在无光照时，p-n结不会发生雪崩倍增效应。但结区一旦有光照射，激发出的光生载流子就被临界强电场加速而导致雪崩倍增。若反向偏压大于反向击穿电压时，光电流的增益可达（十的六次方）即发生“自持雪崩倍增”。由于这时出现的散粒噪声可增大到放大器的噪声水平，以致使器件无法使用。当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象叫内光电效应。广东7GHZ APD光电探测器展示

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。深圳30G PIN光电探测器分析

光电探测器是一种受光器件,具有光电变换功能。光敏器件的种类繁多,有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN结型、PIN结型及异质结型的等。由于光电探测器的响应速度快，体积小,暗电流小,使之在光纤通讯系统、光纤测试系统、光纤传感器、光隔离器、彩电光纤传输、电视图象传输、快速光源的光探测器、微弱光信号的探测、激光测距仪的接收器件、高压电路中的光电测量及光电互感器、计算机数据传输、光电自动控制及光测量等方面得到了广泛应用。半导体光电探测器是用半导体材料制作的能接收和探测光辐射的器件。光照射到器件的光敏区时，它就能将光信号转变成电信号，是一种光电转换功能的测光元件。它在国家防御和工农业生产中有着重要和较广的应用。半导体光电探测器可分为光电导型和光伏型两种。光电导型是指各种半导体光电导管，即光敏电阻；光伏型包括光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。深圳30G PIN光电探测器分析

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