雪崩效应只是APD的工作原理，和工作模式不是一个东西。APD工作模式分盖革模式和线型模式，区别在于线型模式偏置电压低于反向击穿电压，盖格模式偏置电压高于击穿电压。线性模式下APD就是一个增益高的普通光电二极管。盖格模式下APD接受到光子后就会进入并一直处于反向击穿状态，APD一直通过一个很大的反向电流。这时，通过外部电路使偏置电压暂时下降至击穿电压之下，APD从反向击穿模式恢复，等待下一个光子，所以盖格模式通常只适用与单光子计数应用。光电探测器是光接收器的主要器件之一，用来将光功率转换为电流。APD光电探测器私人定做

光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，它区别于光子探测器的比较大特点是对光辐射的波长无选择性。光电子发射器件：光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型（外光电效应）探测器件。其主要特点是灵敏度高，稳定性好，响应速度快和噪声小，是一种电流放大器件。尤其是光电倍增管具有很高的电流增益，特别适于探测微弱光信号；但它结构复杂，工作电压高，体积较大。光电倍增管一般用于测弱辐射而且响应速度要求较高的场合，如人造卫星的激光测距仪、光雷达等。30G PIN光电探测器工作原理当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象叫内光电效应。

光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应。这种情况主要是选择响应时间短或上限频率高的器件，但在电路上也要注意匹配好动态参数；光电探测器必须和输入电路在电特性上良好地进行匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等；为使器件能长期稳定可靠地工作，必须注意选择好器件的规格和使用的环境条件，并且要使器件在额定条件下使用。

1873年，英国W.史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示杂质能级的离化能。光电探测器必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配。

光通信虽然以光作为传播媒介，但归根结底还是基于电的。光载波需要使用电信号来进行调制，接收机接收到光信号也需要将其转换为电信号，才能获得所携带的信息。光的带宽暂且可以认为是无限的，但是电信号的带宽不可能无限提高。相对于低频信号，高频信号有着更高的损耗（包括导线损耗、介质损耗以及电磁辐射等），这就导致信号通路的频率响应是一条向下的曲线，高频成分的减少导致上升下降时间会比原来更长（因为高次谐波比低次谐波更为陡峭，这点很容易理解）。因此带宽的选择对时域波形的较短上升边有直接的影响。线性度和灵敏度是衡量PIN型光电探测器性能的两个重要参数。飞博光电2GHZ APD光电探测器质量

暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。APD光电探测器私人定做

偏振复用就是将激光器发出的光通过偏振分束器分裂成两束，这两束光可以分别进行调制，由于偏振方向垂直，不会发生干涉。由于光在光纤中传输时，偏振方向可能发生改变，导致偏振方向不再严格垂直，产生偏振损耗。在激光器到光调制器之间的光路上，必须使用保偏光纤，保证光的偏振度，避免对非偏振的部分进行调制。在光纤中远距离传输时，必然会产生一定的偏振损耗。相干光通信的技术难点与传统光通信中，通信质量主要只与信号质量相关不同，在相干光通信中，算法占据了举足轻重的地位。由于接收机接受到的信号是在光纤中反复旋转、劣化的信号，相干探测取得的数据只是原始数据，需要进行大量的数据处理、判定和优化，这就对算法提出了很高的要求。在高速信号的背景下，这在过去一直是一个瓶颈。随着芯片技术的发展和DSP厂商在算法上所做出的努力，这个难点如今得到了很好的解决。APD光电探测器私人定做

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