雪崩光电二极管（APD）当二极管PN结上加上足够强的反向电压的时候，耗尽区存在一个很强的场，足够使强电场飘移的光生载流子获得充分的动能来通过晶格原子碰撞产生新的载流子，新的载流子再次碰撞形成更多载流子，这样就实现了雪崩式的载流子倍增。但这同时也会造成噪声的放大当入射光功率脚较小时，多采用APD，此时引入的噪声不大，在入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势，可能带来光电流的失真，采用APD带来的好处不大，采用PIN更为合适。光电探测器是光接收器的主要器件之一，用来将光功率转换为电流。深圳高转换效率光电探测器展示

半导体光子型探测器的性能在很大程度上取决于制备探测器所用的半导体材料。本征半导体材料比掺杂半导体材料更加有用。本征半导体材料既能用来制作光导型探测器，又能制做光伏型探测器；而掺杂半导体只能做成光导型探测器。截止波长较长的半导体光子型探测器，大多数必须在较低温度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探测器在室温下的探测率明显低于低温下的探测率。为了保持半导体光子型探测器的正常工作，常把探测器置于低温容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探测器达到较低的工作温度。飞博光电光电探测器型号可接收的光功率的大小是由探测器的暗电流决定的。

为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号，光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配，而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配，使每个相互连接的器件都处于比较好的工作状态。现将光电探测器件的应用选择要点归纳如下：光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波段，则选用光电倍增管或专门的紫外光电半导体器件；如果信号是可见光，则可选用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件；如果是红外信号，则选用光敏电阻，近红外选用Si光电器件或光电倍增管；

在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为比较好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为比较好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为比较好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压比较低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管较小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为比较好，其次是光电倍增管与光电三极管；在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为较宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。光子照射在半导体材料上产生光生载流子。

利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。光电导探测器具有光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。光伏型探测器通常由半导体PN结构成，其原理是利用PN结的内建电场将光生载流子（用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对）扫出结区而形成信号。当探测器受到光照(辐照)、体内发生本征光吸收时，产生两种带相反电荷的光生载流子（电子和空穴）。这两种光生载流子一开始局限于光照区，随后由于存在浓度梯度，其中一部分扩散到PN结区，在PN结内建电场的作用下，分别聚集到结的两端，形成电压信号。如PN结两端连成一个回路，则形成电流信号。光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。石岩高速光电探测器价格对比

光电探测器区别于光子探测器的比较大特点是对光辐射的波长无选择性。深圳高转换效率光电探测器展示

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在国民经济的各个领域有较广的用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。深圳高转换效率光电探测器展示

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