2011年，Whittaker课题组又使用聚砜高分子作为主体材料，制备了链断裂型非化学放大光刻胶。聚砜与聚碳酸酯类似，主链比PMMA更容易断裂，因此该光刻胶的灵敏度更高。但较高的反应活性也降低了其稳定性，因此Whittaker课题组又利用原子转移自由基聚合法（ARTP）制备了一种PMMA-聚砜复合高分子，主链为聚砜，支链为PMMA，呈梳形结构。PMMA的加入增强了光刻图形的完整性，可获得30nm线宽、占空比为1∶1的线条，最高分辨率可达22.5nm，灵敏度可达4~6mJ·cm?2。不过聚砜在曝光时会分解出二氧化硫和烯烃碎片，产气量较大。光刻胶按应用领域分类，可分为 PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。苏州光分解型光刻胶集成电路材料

灵敏度即光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的较小能量值（或较小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要  。负胶通常需5~15 s时间曝光，正胶较慢，其曝光时间为负胶的3~4倍  。灵敏度反映了光刻胶材料对某种波长的光的反应程度。不同的光刻胶对于不同的波长的光是有选择性的。比如248 nm波长光刻胶的成膜树脂中存在苯环结构，对193 nm波长的光具有很强的吸收作用，即对193 nm波长的光是不透明的，因此193 nm光刻胶必须改变树脂主体。同时，高的产出要求短的曝光时间，对光刻胶的灵敏度要求也越来越高。通常以曝光剂量作为衡量光刻胶灵敏度的指标，曝光剂量值越小，光刻胶的灵敏度越高。i线光刻胶材料曝光剂量在数百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻胶材料，其曝光剂量则在30和20 mJ/cm2左右 。灵敏度可以体现于光刻胶的对比度曲线上。上海干膜光刻胶集成电路材料金属氧化物光刻胶使用金属离子及有机配体构建其主体结构，借助光敏基团实现光刻胶所需的性能。

离子束光刻技术可分为聚焦离子束光刻、离子束投影式光刻。聚焦离子束光刻用途较多，常以镓离子修补传统及相位转移掩膜板；离子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以镂空式模板，缩小投影（4~5倍） 。离子束光刻与电子束直写光刻技术类似，不需要掩膜板，应用高能离子束直写。离子束的散射没有电子束那么强，因此具有更好的分辨率。液态金属离子源为较简单的曝光源：在钨针或钼针的顶端附上镓或金硅合金，加热融化后经由外层为液态金属表面产生的场使离子发射，其发射面积很小（<10 nm），因此利用离子光学系统可较容易地将发射的离子聚焦成细微离子束，从而进行高分辨率的离子束曝光。

浸没光刻：在与浸没光刻相对的干法光刻中，光刻透镜与光刻胶之间是空气。光刻胶直接吸收光源发出的紫外辐射并发生光化学反应。在浸没光刻中，光刻镜头与光刻胶之间是特定液体。这些液体可以是纯水也可以是别的化合物液体。光刻光源发出的辐射经过这些液体的时候发生了折射，波长变短。这样，在不改变光源的前提条件下，更短波长的紫外光被投影光刻胶上，提高了光刻加工的分辨率。双重光刻：双重光刻的意思是通过两次光刻使得加工分辨率翻倍。实现这个目的的一种方法是在开始光刻过后平移同一个光罩进行第二次光刻，以提高加工分辨率。下图右展示了这样一个过程。下图右中双重光刻子进行了两次涂胶，两次光刻和两次刻蚀。随着光刻胶技术的进步，只需要一次涂胶，两次光刻和一次刻蚀的双重光刻工艺也成为可能。中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。

2008年起，日本大阪府立大学的Okamura课题组利用聚对羟基苯乙烯衍生物来构造非化学放大型光刻胶。他们制备了对羟基苯乙烯单元和含有光敏基团的对磺酰胺苯乙烯单元的共聚物，作为光刻胶的主体材料。光照下，光敏剂产生自由基，使对羟基苯乙烯链之间发生交联反应，可作为EUV负性光刻胶使用。随后，他们又在对羟基苯乙烯高分子上修饰烯烃或炔烃基团，体系中加入多巯基化合物作为交联剂，以及光照下可以产生自由基的引发剂，构建了光引发硫醇-烯烃加成反应体系，该体系同样可以作为EUV负性光刻胶使用。值得指出的是，上述工作使用的对羟基苯乙烯衍生物的分子量均比较小，有助于提高光刻胶的分辨率。由于均为自由基反应，光刻过程的产气量也明显小于一般的光刻胶体系。彩色光刻胶及黑色光刻胶市场也呈现日韩企业主导的格局，国内企业有雅克科技、飞凯材料、彤程新材等。苏州光聚合型光刻胶光引发剂

碳酸甲酯型光刻胶：这种类型的光刻胶在制造高分辨率电路元件方面非常有用。苏州光分解型光刻胶集成电路材料

2014年，印度理工学院曼迪分校的Gonsalves课题组将硫鎓离子连接在高分子侧基上，构造了一系列非化学放大光刻胶。该光刻胶主链为聚甲基丙烯酸甲酯，侧基连接二甲基苯基硫鎓盐作为光敏基团，甲基作为惰性基团，咔唑或苯甲酸作为增黏基团。二甲基苯基硫鎓盐通常用来作为化学放大光刻胶的光致产酸剂，Gonsalves课题组也曾利用此策略构建了化学放大光刻胶体系，研发人员利用EUV光照后硫鎓离子转变为硫醚、从而溶解性发生改变的性质，将其用作非化学放大型负性光刻胶。利用碱性水性显影液可将未曝光区域洗脱，而曝光区域无法洗脱。硫离子对EUV光的吸收比碳和氢要强，因此可获得较高的灵敏度，并可得到20nm线宽、占空比为1∶1的光刻图案。苏州光分解型光刻胶集成电路材料