伴随全球半导体产业东移，加上我国持续增长的下游需求和政策支持力度。同时，国内晶圆厂进入投产高峰期，由于半导体光刻胶与下游晶圆厂具有伴生性特点，国内光刻胶厂商将直接受益于晶圆厂制造产能的大幅扩张。当前我国光刻胶与全球先进水平有近40年的差距，半导体国产化的大趋势下，国内企业有望逐步突破与国内集成电路制造工艺相匹配的光刻胶，所以必须要对光刻胶足够的重视，不断向日本和欧美等发达国家学习，努力开发出性能优异的国产光刻胶，使我国在未来的市场中占据一席之地。中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。上海KrF光刻胶其他助剂

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。苏州湿膜光刻胶曝光光刻胶是一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。

质量控制技术：由于用户对光刻胶的稳定性、一致性要求高，包括不同批次间的一致性，通常希望对感光灵敏度、膜厚的一致性保持在较高水平，因此，光刻胶生产商不仅要配备齐全的测试仪器，还需要建立一套严格的QA体系以保证产品的质量稳定。原材料技术：光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。因此，光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键作用。对于半导体化学化学试剂的纯度，际半导体设备和材料组织（SEMI）制定了国际统一标准。

肉桂酸酯类的光刻胶：这类光刻胶在紫外光的照射下，肉桂酸上的不饱和键会打开，产生自由基，形成交联结构。主要品种有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻胶和肉桂叉二酯光刻胶等。前者胶是早期被用于光刻胶制备的光敏高分子化合物，对二氧化硅、铝、氧化铬等材料都有良好的附着力，耐氢氟酸、磷酸腐蚀；中者胶在曝光下几乎不受氧的影响，无须氮气保护，分辨率1 μm左右，灵敏度较前者胶高1倍，黏附性好，抗蚀能力强，图形清晰、线条整齐，耐热性好，显影后可在190℃坚膜0.5 h不变质，感光范围在250~475 nm，特别对436 nm十分敏感，属线型高分子聚合物；第三种胶能溶于酮类、烷烃等溶剂，不溶于水、乙醇等。有较好的黏附性和感光性 ，分辨率也很高，感光速度快。光刻胶生产工艺复杂，技术壁垒高，其研发和量产对企业都具有极高要求。

随着IC集成度的提高，世界集成电路的制程工艺水平按已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。集成电路线宽不断缩小的趋势，对包括光刻在内的半导体制程工艺提出了新的挑战。在半导体制程的光刻工艺中，集成电路线宽的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式确定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成电路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常数，是光刻系统中工艺和材料的一个相关系数；λ是曝光波长，而NA(Numerical Aperture)则是指光刻机的孔径数值。因此，光刻机需要通过降低瑞利常数和曝光波长，增大孔径尺寸来制造具有更小特征尺寸的集成电路。其中降低曝光波长与光刻机使用的光源以及光刻胶材料高度相关。聚合度越小，发生微相分离的尺寸越小，对应的光刻图形越小。普陀LCD触摸屏用光刻胶印刷电路板

半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。上海KrF光刻胶其他助剂

受制于国内光刻胶技术发展水平，目前我国前沿光刻胶的自给率仍然保持较低水平。尽管国内光刻胶市场保持良好的增长趋势，但以KrF、ArF光刻胶为主的半导体光刻胶领域国内市场份额仍然较小，前沿光刻胶市场长期为国外巨头所垄断。从技术水平来看，目前中国本土光刻胶的整体技术水平与国际先进水平存在明显差距，且主要集中在技术含量较低的PCB光刻胶领域，而在半导体光刻胶和LCD光刻胶方面自给率较低。具体而言，半导体光刻胶中g线/i线光刻胶国产化率为10%，而ArF/KrF光刻胶的国产化率为1%，对于前沿的EUV光刻胶目前仍处于研发阶段。上海KrF光刻胶其他助剂

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