中国半导体光刻胶市场规模增速超过全球。随着半导体制程节点不断缩小，光刻工艺对光刻胶要求越来越高，需求量也越来越大。据智研咨询数据，2018年全球半导体用光刻胶市场规模约13亿美元，年复合增速为5.4%，预计未来5年年均增速约8%-10%；中国半导体用光刻胶市场规模约23亿元人民币，年复合增速为9.8%，预计未来5年年均增速约10%。以前，光刻胶主要依赖进口，随着科技的逐渐发展，国产化光刻胶趋势越来越明显，相信国内光刻胶技术会越来越成熟，光刻胶国产化是必然趋势。按显示效果分类：光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。江浙沪干膜光刻胶光引发剂

按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。

按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，生成聚合物；光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。 江浙沪TFT-LCD正性光刻胶曝光半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。

浸没光刻：在与浸没光刻相对的干法光刻中，光刻透镜与光刻胶之间是空气。光刻胶直接吸收光源发出的紫外辐射并发生光化学反应。在浸没光刻中，光刻镜头与光刻胶之间是特定液体。这些液体可以是纯水也可以是别的化合物液体。光刻光源发出的辐射经过这些液体的时候发生了折射，波长变短。这样，在不改变光源的前提条件下，更短波长的紫外光被投影光刻胶上，提高了光刻加工的分辨率。双重光刻：双重光刻的意思是通过两次光刻使得加工分辨率翻倍。实现这个目的的一种方法是在开始光刻过后平移同一个光罩进行第二次光刻，以提高加工分辨率。下图右展示了这样一个过程。下图右中双重光刻子进行了两次涂胶，两次光刻和两次刻蚀。随着光刻胶技术的进步，只需要一次涂胶，两次光刻和一次刻蚀的双重光刻工艺也成为可能。

美国能源部布鲁克海文国家实验室的研究人员采用原子层沉积（ALD）系统，将有机聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）与氧化铝结合起来，创造了杂化有机-无机光刻胶。他们在将涂有PMMA薄膜的衬底放到ALD反应室中之后，引入了铝前驱物蒸汽。这个蒸汽通过PMMA基质内部的微小分子孔扩散，与聚合物链内部的化学物质结合到一起。然后，他们引入了另一种前驱物（例如水），与前驱物反应形成PMMA基体内部的氧化铝。该杂化光刻胶的蚀刻选择比远远高于ZEP（一种昂贵的光刻胶）和二氧化硅。彩色光刻胶及黑色光刻胶市场也呈现日韩企业主导的格局，国内企业有雅克科技、飞凯材料、彤程新材等。

   光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据使用场景，这里的待加工基片可以是集成电路材料，显示面板材料或者印刷电路板。据第三方机构智研咨询统计，2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元，自 2010年至今CAGR约5.4%。预计该市场未来3年仍将以年均5%的速度增长，至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。按照化学结构分类：光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。昆山化学放大型光刻胶显示面板材料

一旦达成合作，光刻胶厂商和下游集成电路制造商会形成长期合作关系。江浙沪干膜光刻胶光引发剂

包括光刻胶在内的微电子化学品有技术要求高、功能性强、产品更新快等特点，其产品品质对下游电子产品的质量和效率有非常大的影响。因此，下游企业对微电子化学品供应商的质量和供货能力十分重视，常采用认证采购的模式，需要通过送样检验、技术研讨、信息回馈、技术改进、小批试做、大批量供货、售后服务评价等严格的筛选流程。认证时间久，要求严苛；一般产品得到下游客户的认证需要较长的时间周期。显示面板行业通常为1-2年，集成电路行业由于要求较高，认证周期能达到2-3年时间；认证阶段内，光刻胶供应商没有该客户的收入，这需要供应收有足够的资金实力。光刻胶供应商与客户粘性大；一般情况下，为了保持光刻胶供应和效果的稳定，下游客户与光刻胶供应商一旦建立供应关系后，不会轻易更换。通过建立反馈机制，满足个性化需求，光刻胶供应商与客户的粘性不断增加。后来者想要加入到供应商行列，往往需要满足比现有供应商更高的要求。所以光刻胶行业对新进入者壁垒较高。江浙沪干膜光刻胶光引发剂

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