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泰晟供三菱htpvc 耐热树脂板材 半导体生产设备配件
半导体芯片的制造有以下几个步骤：
1. 生长棒分为直拉法（CZ）和区熔法（FZ）：由于熔融多晶材料将直接接触定时坩埚，定时坩埚中的杂质将污染熔融多晶材料。直拉法碳、氧含量高，杂质和缺陷多，但成本低，适用于大直径（300mm）硅片的拉伸。是目前半导体硅片的主要材料。区熔法拉制的单晶由于多晶原料不与石英坩埚接触，内部
缺陷少，碳、氧含量低，但价格昂贵，成本较高，适用于大功率设备和一些高精端产品。
2. 切片：拔出的单晶硅棒需去除头尾料，然后滚磨成所需直径，切成平边或V型槽，再切成薄片硅片。现在采用的是金刚石线切割技术，该技术效率高，翘曲度大，硅片曲率好。一些异形件将被切割成一个内圆。
3. 研磨：切片后，需要用研磨的方法去除损坏的截面层，以保证硅片的表面质量，大约要去除50um。
4. 腐蚀：腐蚀是为了进一步去除切削和磨削造成的损伤层，为下一个抛光工艺做准备。腐蚀通常包括碱腐蚀和酸腐蚀。目前，由于生态环境保护的因素，大部分采用碱腐蚀。腐蚀去除量可达30—40μm，表面粗糙度也可达微米级。
5. 抛光：抛光是硅片生产中的一个重要工序。抛光是通过化学机械抛光（CMP）技术进一步提高硅片的表面质量，使其达到Ra<5A的通常生产要求。
6. 清洗和包装：随着集成电路的行宽越来越小，对提高颗粒度指标的要求也越来越高。清洗和封装也是硅片生产过程中的一个重要工序。微波清洗能清洁并粘附在硅片表面的颗粒达到微芯片表面所要求的粒度指标，使硅片表面清洁度达到集成电路的要求。
目前的半导体材料都是单晶硅。半导体芯片的纯度要求在9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅极大值可达11N（99.9999999%）。晶体生长通常采用直拉法（CZ）和区熔法（FZ），晶体取向由晶种决定。半导体材料以单晶硅为主，占半导体材料市场的90%以上，是集成电路的基础材料。
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