微纳加工工艺基本分为表面加工体加工两大块，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉积系绳层材料；第二步：光刻定义系绳层图形；第三步：刻蚀完成系绳层图形转移；第四步：沉积结构材料；第五步：光刻定义结构层图形；第六步：刻蚀完成结构层图形转移；第七步：释放去除系绳层，保留结构层，完成微结构制作；体加工基本流程如下：首先：沉积保护层材料；第二步：光刻定义保护图形；第三步：刻蚀完成保护层图形转移；第四步：腐蚀硅衬底，在制作三维立体腔结构；第五步：去除保护层材料。微纳加工平台主要提供微纳加工技术工艺。自贡超快微纳加工

微流控芯片是在普通毛细管电泳的基本原理和技术的基础上，利用微加工技术在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基质材料上加工出各种微细结构，如管道、反应池、电极之类的功能单元，完成生物和化学等领域中所涉及的样品制备、生化反应、处理（混合、过滤、稀释）、分离检测等一系列任务，具有快速、高效、低耗、分析过程自动化和应用范围广等特点的微型分析实验装置。目前已成为微全分析系统（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片实验室（labonachip）的发展重点和前沿领域。为常见的聚合物微流控芯片形式。近年来，由于生化分析的复杂性和多样性需求，微流控芯片技术的发展愈发趋于组合化和集成化，在一块芯片基片上集成多种功能单元成为一种常见形式，普遍应用于医学诊断、医学分析、药物筛选、环境监测和燃料电池技术等诸多领域。基于高通量快速分离的需要，多通道阵列并行操作是微流控芯片的发展的趋势，芯片微通道数量已从较初的12通道、96通道，发展到现在的384通道。焦作微纳加工应用光刻胶是微纳加工中微细图形加工的关键材料之一。

光刻是半导体制造中常用的技术之一，是现代光电子器件制造的基础。然而，深紫外和极紫外光刻系统及其相应的光学掩模都是基于低速高成本的电子束光刻（EBL）或者聚焦离子束刻蚀(FIB)技术，导致其价格都相对昂贵。因此，无掩模的高速制备法是微纳结构制备的优先方法。在这些无掩模方法中，直接激光写入(direct laser writing, DLW)是一种重要的、被广采用的微处理技术，能够提供比较低的价格和相对较高的吞吐量。但是，实际应用中存在两个主要挑战：一是与FIB和EBL相比，分辨率还不够高。

微纳加工当中，GaN材料的刻蚀一般采用光刻胶来做掩膜，但是刻蚀GaN和光刻胶，选择比接近1:1，如果需要刻蚀深度超过3微米以上就需要采用厚胶来做掩膜。对于刻蚀更深的GaN,那就需要采用氧化硅来做刻蚀的掩模，刻蚀GaN的气体对于刻蚀氧化硅刻蚀比例可以达到8:1。应用于MEMS制作的衬底可以说是各种各样的，如硅晶圆、玻璃晶圆、塑料、还其他的材料。硅晶圆包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圆包括单晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光学玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光学树脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金属等材料。在我国，微纳制造技术同样是重点发展方向之一。

在过去的几年中，全球各地的研究机构和大学已开始集中研究微观和纳米尺度现象、器件和系统。虽然这一领域的研究产生了微纳制造方面的先进知识，但比较显然，这些知识的产业应用将是增强这些技术未来增长的关键。虽然在这些领域的大规模生产方面已经取得了进步，但微纳制造技术的主要生产环境仍然是停留在实验室中，在企业的大规模生产环境中难得一见。这就导致企业在是否采用这些技术方面犹豫不决，担心它们可能引入未知因素，影响制造链的性能与质量。就这一点而言，投资于基础设施的发展，如更高的模块化、灵活性和可扩展性可能会有助于生产成本的减少，对于新生产平台成功推广至关重要。这将有助于吸引产业界的积极参与，与率先的研究实验室一起推动微纳产品的不断升级换代。大部份的湿刻蚀液均是各向同性的，换言之，对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。自贡超快微纳加工

新一代微纳制造系统应满足的要求：具有微纳特性的组件的小型化连续生产。自贡超快微纳加工

无论是大批量还是小规模生产定制产品，都需要开发新一代的模块化、知识密集的、可升级的和可快速配置的生产系统。而这将用到那些新近涌现出来的微纳技术研究成果以及新的工业生产理论体系。给出了微纳制造系统与平台的发展前景。未来几年微纳制造系统和平台的发展前景包括以下几个方面：（1）微纳制造系统的设计、建模和仿真；（2）智能的、可升级的和适应性强的微纳制造系统（工艺、设备和工具集成）；（3）新型灵活的、模块化的和网络化的系统结构，以构筑基于制造的知识。自贡超快微纳加工