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南京阻焊光刻胶供应商

来源: 发布时间:2025-06-19

吉田半导体助力区域经济,构建半导体材料生态圈,发挥企业作用,吉田半导体联合上下游资源,推动东莞松山湖半导体产业协同创新。
作为松山湖产业集群重要成员,吉田半导体联合光刻机制造商、光电子企业共建材料生态圈。公司通过技术输出与资源共享,帮助本地企业提升工艺水平,促进产业链协同创新。例如,与华中科技大学合作研发的 T150A KrF 光刻胶,极限分辨率 120nm,工艺宽容度优于日本信越同类产品,已实现量产并出口东南亚,为区域经济发展注入新动能。感光胶的工艺和应用。南京阻焊光刻胶供应商

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作为深耕半导体材料领域二十余年的综合性企业,广东吉田半导体材料有限公司始终将技术创新与产品质量视为重要发展动力。公司位于东莞松山湖产业集群,依托区域产业链优势,持续为全球客户提供多元化的半导体材料解决方案。

公司产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等,原材料均严格选用美国、德国、日本等国的质量进口材料。通过全自动化生产设备与精细化工艺控制,确保每批次产品的稳定性与一致性。例如,纳米压印光刻胶采用特殊配方,可耐受 250℃高温及复杂化学环境,适用于高精度纳米结构制造;LCD 光刻胶以高分辨率和稳定性,成为显示面板行业的推荐材料。


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光刻胶系列

厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;

水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;

LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;

半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。

国际标准与客户认证
公司通过ISO9001、ISO14001等认证,并严格执行8S现场管理,生产环境洁净度达Class 10级。其光刻胶产品已通过京东方、TCL华星的供应商认证,在显示面板领域的市占率约5%,成为本土企业中少数能与日本JSR、德国默克竞争的厂商。

全流程可追溯体系
吉田半导体建立了从原材料入库到成品出库的全流程追溯系统,关键批次数据(如树脂分子量分布、光敏剂纯度)实时上传云端,确保产品一致性和可追溯性。这一体系使其在车规级芯片等对可靠性要求极高的领域获得突破,2023年车用光刻胶销售额同比增长120%。
半导体芯片制造,用于精细电路图案光刻,决定芯片性能与集成度。

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关键工艺流程

 涂布:

? 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。

? DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-14nm制程,如存储芯片)。

? EUV胶(13.5nm):极紫外光源(用于7nm以下制程,需控制纳米级缺陷)。

? 曝光能量:需精确控制(如ArF胶约50mJ/cm2),避免过曝或欠曝导致图案失真。

 显影:

? 采用碱性溶液(如0.262N四甲基氢氧化铵,TMAH),曝光区域胶膜溶解,未曝光区域保留,形成三维立体图案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化学增幅型胶需此步骤,通过加热(90-130℃)激发光酸催化反应,提高分辨率和耐蚀刻性。
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LCD显示

? 彩色滤光片(CF):

? 黑色矩阵(BM)光刻胶:隔离像素,线宽精度±2μm,透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻胶:形成红/绿/蓝像素,需高色纯度(NTSC≥95%)和耐光性。

? 阵列基板(Array):

? 栅极绝缘层光刻胶:用于TFT-LCD的栅极图案化,分辨率≤3μm。

 OLED显示(柔性/刚性)

? 像素定义层(PDL)光刻胶:在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构,线宽精度±1μm,需耐溶剂侵蚀(适应蒸镀工艺)。

? 触控电极(如ITO/PET):通过光刻胶图形化实现透明导电线路,线宽≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量转移前的芯片制备:使用高分辨率光刻胶(分辨率≤5μm)定义微米级LED阵列,良率要求>99.99%。
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