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杭州正性光刻胶价格

来源: 发布时间:2025-06-14

聚焦先进封装需求,吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域,吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术(180℃),焊接空洞率 < 5%;针筒锡膏适用于 01005 超微型元件,印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队,公司为客户提供工艺优化建议,帮助降低生产成本,增强市场竞争力。政策支持:500亿加码产业链。杭州正性光刻胶价格

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国产替代进程加速
日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后,国内企业加速验证本土产品。鼎龙股份潜江工厂的KrF/ArF产线2024年12月获两家大厂百万大单,二期300吨生产线在建。武汉太紫微的T150A光刻胶性能参数接近日本UV1610,已通过中芯国际14nm工艺验证。预计到2025年,国内KrF/ArF光刻胶国产化率将从不足5%提升至10%。

 原材料国产化突破
光刻胶树脂占成本50%-60%,八亿时空的光刻胶树脂产线预计2025年实现百吨级量产,其产品纯度达到99.999%,金属杂质含量低于1ppb。怡达股份作为全球电子级PM溶剂前段(市占率超40%),与南大光电合作开发配套溶剂,打破了日本关东化学的垄断。这些进展使光刻胶生产成本降低约20%。

 供应链风险缓解
合肥海关通过“空中专线”保障光刻胶运输,将进口周期从28天缩短至17天,碳排放减少18%。国内在建12座光刻胶工厂(占全球总数58%),预计2025年产能达3000吨/年,较2023年增长150%。
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作为东莞松山湖的企业,吉田半导体深耕光刻胶领域 23 年,成功研发出 YK-300 半导体正性光刻胶与 JT-2000 纳米压印光刻胶。YK-300 适用于 45nm 及以上制程,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,良率达 98% 以上,已通过中芯国际等晶圆厂验证;JT-2000 突破耐高温极限,在 250℃复杂环境下仍保持图形稳定性,适用于 EUV 光刻前道工艺。依托进口原材料与全自动化生产工艺,产品通过 ISO9001 认证及欧盟 RoHS 标准,远销全球并与跨国企业建立长期合作,加速国产替代进程。

光刻胶系列

厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;

水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;

LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;

半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。 吉田半导体光刻胶,45nm 制程验证,国产替代方案!

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吉田半导体突破 ArF 光刻胶技术壁垒,国产替代再迎新进展

自主研发 ArF 光刻胶通过中芯国际验证,吉田半导体填补国内光刻胶空白。
吉田半导体成功研发出 AT-450 ArF 光刻胶,分辨率达 90nm,适用于 14nm 及以上制程,已通过中芯国际量产验证。该产品采用国产原材料与自主配方,突破日本企业对 ArF 光刻胶的垄断。其光酸产率提升 30%,蚀刻选择比达 4:1,性能对标日本信越的 ArF 系列。吉田半导体的技术突破加速了国产芯片制造材料自主化进程,为国内晶圆厂提供高性价比解决方案。
吉田半导体产品矩阵。江西网版光刻胶品牌

告别显影残留!化学增幅型光刻胶助力封装。杭州正性光刻胶价格

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。

UV 纳米压印光刻胶:JT-2000 型号,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如半导体器件制造。

其他光刻胶

  • 水油光刻胶 JT-2001:属于水油两用光刻胶,具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点,重量 1L。
  • 水油光刻胶 SR-3308:同样为水油两用光刻胶,重量 5L,具备上述通用优势,应用场景。


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