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厦门UV纳米光刻胶工厂

来源： 发布时间：2025-06-11

吉田半导体 YK-300 正性光刻胶：半导体芯片制造的材料

YK-300 正性光刻胶以高分辨率与耐蚀刻性，成为 45nm 及以上制程的理想选择。
YK-300 正性光刻胶分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于半导体芯片前道工艺。其耐溶剂性与绝缘阻抗性能突出，在显影与蚀刻过程中保持图形稳定性。产品已通过中芯国际量产验证，良率达 98% 以上，生产过程执行 ISO9001 标准，帮助客户降低封装成本 20% 以上。支持小批量试产与定制化需求，为国产芯片制造提供稳定材料支撑。
松山湖企业深耕光刻胶领域二十载，提供全系列半导体材料解决方案。厦门UV纳米光刻胶工厂

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 光伏电池（半导体级延伸）
? HJT/TOPCon电池：在硅片表面图形化金属电极，使用高灵敏度光刻胶（曝光能量≤50mJ/cm2），线宽≤20μm，降低遮光损失。

? 钙钛矿电池：用于电极图案化和层间隔离，需耐有机溶剂（适应溶液涂布工艺）。

 纳米压印技术（下一代光刻）

? 纳米压印光刻胶：通过模具压印实现10nm级分辨率，用于3D NAND存储孔阵列（直径≤20nm）、量子点显示阵列等。

 微流控与生物医疗

? 微流控芯片：制造微米级流道（宽度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材适配）。

? 生物检测芯片：通过光刻胶图案化抗体/抗原固定位点，精度≤5μm。
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纳米压印光刻胶


  • 微纳光学器件制造：制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时，纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术，将模板上的微纳图案转移到光刻胶上，再经过后续处理，可制造出具有特定光学性能的微纳光学器件，应用于光通信、光学成像等领域。
  • 生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白质芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面构建高精度的微纳结构，用于生物分子的固定和检测。纳米压印光刻胶可帮助实现这些精细结构的制作，提高生物芯片的检测灵敏度和准确性。


    • ? 正性光刻胶

    ? YK-300：适用于半导体制造，具备高分辨率（线宽≤10μm）、耐高温（250℃）、耐酸碱腐蚀特性，主要用于28nm及以上制程的晶圆制造，适配UV光源（365nm/405nm）。

    ? 技术优势：采用进口树脂及光引发剂，绝缘阻抗高（>10^14Ω），满足半导体器件对绝缘性的严苛要求。

    ? 负性光刻胶

    ? JT-1000：负性胶，主打优异抗深蚀刻性能，分辨率达3μm，适用于功率半导体、MEMS器件制造，可承受氢氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等强腐蚀液处理。

    ? SU-3：经济型负性胶，性价比高，适用于分立器件及低端逻辑芯片，光源适应性广（248nm-436nm），曝光灵敏度≤200mJ/cm2。

    2. 显示面板光刻胶

    ? LCD正性光刻胶YK-200：专为TFT-LCD制程设计，具备高涂布均匀性（膜厚误差±1%）、良好的基板附着力，用于彩色滤光片（CF）和阵列基板（Array）制造，支持8.5代线以上大规模生产。

    ? 水性感光胶JT-1200：环保型产品，VOC含量<50g/L，符合欧盟RoHS标准，适用于柔性显示基板，可制作20μm以下精细网点，主要供应京东方、TCL等面板厂商。

    吉田半导体全流程解决方案，赋能客户提升生产效率。

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    广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，各有特性与优势，适用于不同领域。

    LCD 正性光刻胶 YK - 200：具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点，重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺，能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。

    半导体正性光刻胶 YK - 300：具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性，重量 100g。主要用于半导体制造工艺，满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。

    耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蚀的特性，适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中，比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。 水性感光胶推荐吉田 JT-1200，水油兼容配方，钢片加工精度 ±5μm！厦门LCD光刻胶感光胶

    半导体光刻胶：技术领域取得里程碑。厦门UV纳米光刻胶工厂

    产品优势：多元化布局与专业化延伸

     全品类覆盖
    吉田产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等，形成“光刻胶+配套材料”的完整产品线。例如：

    ? 芯片光刻胶：覆盖i线、g线光刻胶，适用于6英寸、8英寸晶圆制造。

    ? 纳米压印光刻胶：用于MEMS、光学器件等领域，替代传统光刻工艺。

     专业化延伸
    公司布局半导体用KrF光刻胶，计划2025年启动研发，目标进入中芯国际、长江存储等晶圆厂供应链。

    质量与生产优势：严格品控与自动化生产

     ISO认证与全流程管控
    公司通过ISO9001:2008质量体系认证，生产环境执行8S管理，原材料采用美、德、日进口高质量材料，确保产品批次稳定性。
    质量指标：光刻胶金属离子含量低于0.1ppb，良率超99%。

     自动化生产能力
    拥有行业前列的全自动化生产线，年产能达2000吨（光刻胶及配套材料），支持大规模订单交付。

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