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产品特点:耐溶剂型优良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能优良;经特殊乳化聚合技术处理,网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高;剥膜性好,网版可再生使用;解像性、高架桥性好,易做精细网点和线条;感光度高,曝光时间短,曝光宽容度大,节省网版作业时间,提高工作效率 。
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应用范围:适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板(PCB)、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案,满足皮革制品精细印刷需求,制作各类标牌保证图案清晰,用于 PCB 制造满足高精度要求等。
光刻胶的关键应用领域。珠海网版光刻胶国产厂商
技术趋势与挑战
半导体先进制程:
? EUV光刻胶需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷数<10个),开发低粗糙度(≤5nm)材料;
? 极紫外吸收问题:胶膜对13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑战化学增幅体系的灵敏度。
环保与低成本:
? 水性负性胶替代溶剂型胶(如PCB阻焊胶),减少VOC排放;
? 单层胶工艺替代多层胶,简化流程(如MEMS厚胶的一次性涂布)。
新兴领域拓展:
? 柔性电子:开发耐弯曲(曲率半径<5mm)、低模量感光胶,用于可穿戴设备电路;
? 光子芯片:高折射率胶(n>1.8)制作光波导,需低传输损耗(<0.1dB/cm)。
典型产品与厂商
? 半导体正性胶:
? 日本信越(Shin-Etsu)的ArF胶(分辨率22nm,用于12nm制程);
? 美国陶氏(Dow)的EUV胶(灵敏度10mJ/cm2,缺陷密度<5个/cm2)。
? PCB负性胶:
? 中国容大感光(LP系列):耐碱性蚀刻,厚度20-50μm,国产化率超60%;
? 日本东京应化(TOK)的THMR-V:全球PCB胶市占率30%,适用于高可靠性汽车板。
? MEMS厚胶:
? 美国陶氏的SU-8:实验室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需优化交联均匀性);
? 德国Microresist的MR胶:耐深硅蚀刻,线宽精度±2%,用于工业级MEMS制造。
杭州油墨光刻胶厂家半导体光刻胶:技术领域取得里程碑。
市场与客户优势:全球化布局与头部客户合作
全球客户网络
产品远销全球,与三星、LG、京东方等世界500强企业建立长期合作,在东南亚、北美市场市占率超15%。
区域市场深耕
依托东莞松山湖产业集群,与华为、OPPO等本土企业合作,在消费电子、汽车电子领域快速响应客户需求。
产业链配套优势:原材料与设备协同
主要原材料自主化
公司自主生产光刻胶树脂、光引发剂,降低对进口依赖,成本较国际竞品低20%。
设备与工艺协同
与国内涂胶显影设备厂商合作,开发适配国产设备的光刻胶配方,提升工艺兼容性。
广东吉田半导体材料有限公司以光刻胶为中心,逐步拓展至半导体全材料领域,形成了 “技术驱动、全产业链覆盖” 的发展格局。公司产品不仅包括芯片与 LCD 光刻胶,还延伸至锡膏、焊片、靶材等配套材料,为客户提供一站式采购服务。
市场与荣誉:
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产品远销全球 50 多个地区,客户包括电子制造服务商(EMS)及半导体厂商。
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获评 “广东省专精特新企业”“广东省创新型中小企业”,并通过技术企业认证。
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生产基地配备自动化设备,年产能超千吨,满足大规模订单需求。
未来展望:
公司计划进一步扩大研发中心规模,聚焦第三代半导体材料研发,如 GaN、SiC 相关光刻胶技术。同时,深化全球化布局,在东南亚、欧洲等地设立分支机构,强化本地化服务能力。
吉田半导体公司基本概况。
定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清晰,是半导体制造(尤其是制程)的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
? 树脂(成膜剂):
? 传统正性胶:采用**酚醛树脂(Novolak)与重氮萘醌(DNQ,光敏剂)**的复合体系(PAC体系),占比约80%-90%。
? 化学增幅型(用于DUV/EUV):含环化烯烃树脂或含氟聚合物,搭配光酸发生器(PAG),通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
? 溶剂:溶解树脂和感光剂,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加剂:表面活性剂(改善涂布均匀性)、稳定剂(防止暗反应)、碱溶解度调节剂等。
工作原理
? 曝光前:光敏剂(如DNQ)与树脂结合,形成不溶于碱性显影液的复合物。
? 曝光时:
? 传统PAC体系:DNQ在紫外光(G线436nm、I线365nm)照射下发生光分解,生成羧酸,使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
? 化学增幅型:PAG在DUV/EUV光下产生活性酸,催化树脂发生脱保护反应,大幅提高显影速率(灵敏度提升10倍以上)。
? 显影后:曝光区域溶解去除,未曝光区域保留,形成正性图案。
吉田技术研发与生产能力。苏州网版光刻胶价格
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正性光刻胶(如 YK-300)
应用场景:用于芯片的精细图案化,如集成电路(IC)、分立器件(二极管、三极管)的制造。
特点:高分辨率(可达亚微米级),适用于多层光刻工艺,确保芯片电路的高精度与可靠性。
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负性光刻胶(如 JT-1000)
应用场景:用于功率半导体(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及传感器(如 MEMS)的微结构成型。
特点:抗蚀刻能力强,适合复杂图形的转移,尤其在深宽比要求较高的工艺中表现优异。
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纳米压印光刻胶(JT-2000)
应用场景:第三代半导体(GaN、SiC)芯片、量子点器件及微流控芯片的制造。特点:耐高温(250℃)、耐酸碱,支持纳米级精度图案复制,降低芯片的制造成本。
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