主要优势:细分领域技术突破与产业链协同
技术积累与自主化能力
公司拥有23年光刻胶研发经验,实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如,其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系,分辨率达3μm,适用于MEMS传感器、光学器件等领域,填补了国内空白。
技术壁垒:掌握光刻胶主要原材料(如树脂、光酸)的合成技术,部分原材料纯度达PPT级,金属离子含量低于0.1ppb,良率超99%。
产品多元化与技术化布局
产品线覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等,形成“光刻胶+配套材料”的完整体系。例如:
? LCD光刻胶:适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术,与京东方、TCL华星合作开发高分辨率产品,良率提升至98%。
? 半导体锡膏:供应华为、OPPO等企业,年采购量超200吨,用于5G手机主板封装。
技术化延伸:计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发,目标进入中芯国际、长江存储供应链。
质量控制与生产能力
通过ISO9001:2008质量体系认证,生产环境执行8S管理,原材料采用美、德、日进口高质量材料。拥有全自动化生产线,年产能达2000吨(光刻胶及配套材料),支持大规模订单交付。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
厚板光刻胶 JT - 3006:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。需保存在干燥区域并密封,使用前要阅读参考技术资料。适用于厚板的光刻加工,在对精度、感光度和抗蚀刻要求高的生产场景中发挥作用,如特定的电路板制造领域。
水油光刻胶 SR - 3303:适用于光学仪器、太阳能电池等领域的光刻工艺。品质保障、性能稳定的特点,由工厂研发且支持定制,工厂直销。
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技术优势:23年研发沉淀与细分领域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻胶研发中实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如,其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系,实现了3μm的分辨率,适用于MEMS传感器、光学器件等领域。
技术壁垒:公司拥有23年光刻胶研发经验,掌握光刻胶主要原材料(如树脂、光酸)的合成技术,部分原材料纯度达PPT级。
细分领域技术先进
? 纳米压印光刻胶:在纳米级图案化领域(如量子点显示、生物芯片)实现技术突破,分辨率达3μm,填补国内空缺。
? LCD光刻胶:针对显示面板行业需求,开发出高感光度、高对比度的光刻胶,适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术。
研发投入与合作
公司2018年获高新技术性企业认证,与新材料领域同伴们合作开发半导体光刻胶,计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发。
国家大基金三期:注册资本3440亿元,明确将光刻胶列为重点投资领域,计划投入超500亿元支持树脂、光引发剂等原料研发,相当于前两期投入总和的3倍。
地方专项政策:湖北省对通过验证的光刻胶企业给予设备采购补贴+税收减免,武汉太紫微凭借全流程国产化技术获中芯国际百万级订单;福建省提出2030年化工新材料自给率达90%,光刻胶是重点突破方向。
研发专项:科技部“双十计划”设立20亿元经费,要求2025年KrF/ArF光刻胶国产化率突破10%,并启动EUV光刻胶预研。
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客户认证:从实验室到产线的漫长“闯关”
验证周期与试错成本
半导体光刻胶需经历PRS(性能测试)、STR(小试)、MSTR(中批量验证)等阶段,周期长达2-3年。南大光电的ArF光刻胶自2021年启动验证,直至2025年才通过客户50nm闪存平台认证。试错成本极高,单次晶圆测试费用超百万元,且客户为维持产线稳定,通常不愿更换供应商。
设备与工艺的协同难题
光刻胶需与光刻机、涂胶显影机等设备高度匹配。国内企业因缺乏ASML EUV光刻机测试资源,只能依赖二手设备或与晶圆厂合作验证,导致研发效率低下。例如,华中科技大学团队开发的EUV光刻胶因无法接入ASML原型机测试,性能参数难以对标国际。
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国际标准与客户认证
公司通过ISO9001、ISO14001等认证,并严格执行8S现场管理,生产环境洁净度达Class 10级。其光刻胶产品已通过京东方、TCL华星的供应商认证,在显示面板领域的市占率约5%,成为本土企业中少数能与日本JSR、德国默克竞争的厂商。
全流程可追溯体系
吉田半导体建立了从原材料入库到成品出库的全流程追溯系统,关键批次数据(如树脂分子量分布、光敏剂纯度)实时上传云端,确保产品一致性和可追溯性。这一体系使其在车规级芯片等对可靠性要求极高的领域获得突破,2023年车用光刻胶销售额同比增长120%。
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