广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
LCD 正性光刻胶 YK - 200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。
半导体正性光刻胶 YK - 300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蚀的特性,适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中,比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。
吉田半导体产品矩阵。东莞紫外光刻胶多少钱
关键工艺流程
涂布与前烘:
? 旋涂或喷涂负性胶,厚度可达1-100μm(远厚于正性胶),前烘温度60-90℃,去除溶剂并增强附着力。
曝光:
? 光源以**汞灯G线(436nm)**为主,适用于≥1μm线宽,曝光能量较高(约200-500mJ/cm2),需注意掩膜版与胶膜的贴合精度。
显影:
? 使用有机溶剂显影液(如二甲苯、醋酸丁酯),未曝光的未交联胶膜溶解,曝光的交联胶膜保留。
后处理:
? 后烘(Post-Bake):加热(100-150℃)进一步固化交联结构,提升耐干法蚀刻或湿法腐蚀的能力。
东莞紫外光刻胶多少钱负性光刻胶的工艺和应用场景。
厚板光刻胶
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电路板制造:在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时,厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性,比如汽车电子、工业控制等领域的电路板,能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
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功率器件制造:像绝缘栅双极晶体管(IGBT)这类功率器件,需要承受高电压和大电流,厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节,保障芯片内部电路的精细布局,提高器件的性能和可靠性。
负性光刻胶
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半导体制造:在芯片制造过程中,用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构,如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺,能实现精确的图形转移,确保芯片各部分之间的电气连接正常。
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平板显示制造:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)的制造中,用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例,负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案,控制液晶分子的排列,从而实现图像显示。
应用场景
半导体集成电路(IC)制造:
? 逻辑芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化(如10nm节点线宽只有100nm)。
? 存储芯片(DRAM/NAND):3D堆叠结构中,正性胶用于层间接触孔(Contact)和栅极(Gate)的高深宽比图形(深宽比>10:1)。
平板显示(LCD/OLED):
? 彩色滤光片(CF):制作黑矩阵(BM)和彩色层(R/G/B),要求高透光率和边缘锐利度(线宽5-10μm)。
? OLED电极:在柔性基板上形成微米级透明电极,需低应力胶膜防止基板弯曲变形。
印刷电路板(PCB):
? 高密度互连(HDI):用于细线路(线宽/线距≤50μm),如智能手机主板,相比负性胶,正性胶可实现更精细的线路边缘。
微纳加工与科研:
? MEMS传感器:制作微米级悬臂梁、齿轮等结构,需耐干法蚀刻的正性胶(如含硅树脂胶)。
? 纳米光刻:电子束光刻胶(正性为主)用于研发级纳米图案(分辨率<10nm)。
光刻胶生产工艺流程与应用。
定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清晰,是半导体制造(尤其是制程)的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
? 树脂(成膜剂):
? 传统正性胶:采用**酚醛树脂(Novolak)与重氮萘醌(DNQ,光敏剂)**的复合体系(PAC体系),占比约80%-90%。
? 化学增幅型(用于DUV/EUV):含环化烯烃树脂或含氟聚合物,搭配光酸发生器(PAG),通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
? 溶剂:溶解树脂和感光剂,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加剂:表面活性剂(改善涂布均匀性)、稳定剂(防止暗反应)、碱溶解度调节剂等。
工作原理
? 曝光前:光敏剂(如DNQ)与树脂结合,形成不溶于碱性显影液的复合物。
? 曝光时:
? 传统PAC体系:DNQ在紫外光(G线436nm、I线365nm)照射下发生光分解,生成羧酸,使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
? 化学增幅型:PAG在DUV/EUV光下产生活性酸,催化树脂发生脱保护反应,大幅提高显影速率(灵敏度提升10倍以上)。
? 显影后:曝光区域溶解去除,未曝光区域保留,形成正性图案。
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