济南油墨光刻胶供应商
来源：
发布时间：2025-05-23
感光机制
? 重氮型（双液型）：需混合光敏剂（如二叠氮二苯乙烯二磺酸钠），曝光后通过交联反应固化，适用于精细图案（如PCB电路线宽≤0.15mm）。
? SBQ型（单液型）：预混光敏剂，无需调配，感光度高（曝光时间缩短30%），适合快速制版（如服装印花）。
? 环保型：采用无铬配方（如CN10243143A），通过多元固化体系（热固化+光固化）实现12-15mJ/cm2快速曝光，分辨率达2μm，符合欧盟REACH标准。
功能细分
? 耐溶剂型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶剂，适用于电子油墨印刷。
? 耐水型：如瑞士科特1711，抗水性强，适合纺织品水性浆料。
? 厚版型：如德国K?ppen厚版胶，单次涂布可达50μm，用于立体印刷。
典型应用场景：
? PCB制造：使用360目尼龙网+重氮感光胶，配合LED曝光（405nm波长），实现0.15mm线宽，耐酸性蚀刻液。
? 纺织印花：圆网制版采用9806A型感光胶，涂布厚度20μm，耐碱性染料色浆，耐印率超10万次。
? 包装印刷：柔版制版选用杜邦赛丽® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+无溶剂工艺，碳排放降低40%。
吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造环保光刻胶。济南油墨光刻胶供应商
? 化学反应：
? 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；
? 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影（Development）
? 显影液：
? 正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；
? 负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。
? 方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘（Post-Bake）
? 目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。
? 条件：
? 温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；
? 时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。
7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）
? 蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；
? 离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。
8. 去胶（Strip）
? 方法：
? 湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
? 干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。
技术挑战与发展趋势
更高分辨率需求：
? EUV光刻胶需解决“线边缘粗糙度（LER）”问题（目标＜5nm），通过纳米颗粒分散技术或新型聚合物设计改善。
缺陷控制：
? 半导体级正性胶要求金属离子含量＜1ppb，颗粒（＞50nm）＜1个/mL，需优化提纯工艺（如多级过滤+真空蒸馏）。
国产化突破：
? 国内企业（如上海新阳、南大光电、容大感光）已在KrF/ArF胶实现批量供货，但EUV胶仍被日本JSR、美国陶氏、德国默克垄断，需突破树脂合成、PAG纯度等瓶颈。
环保与节能：
? 开发水基显影正性胶（减少有机溶剂使用），或低烘烤温度胶（降低半导体制造能耗）。
典型产品示例
? 传统正性胶：Shipley S1813（G/I线，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩阵）。
? DUV正性胶：信越化学的ArF胶（用于14nm FinFET制程）、中芯国际认证的国产KrF胶（28nm节点）。
? EUV正性胶：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。
正性光刻胶是推动半导体微缩的主要材料，其技术进步直接关联芯片制程的突破，未来将持续向更高精度、更低缺陷、更绿色工艺演进。
松山湖企业深耕光刻胶领域二十载，提供全系列半导体材料解决方案。
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