吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域,通过差异化技术(如纳米压印、厚膜工艺)和环保特性(水性配方),满足从传统电子到新兴领域(如第三代半导体、Mini LED)的多样化需求。其产品不仅支持高精度、高可靠性的制造工艺,还通过材料创新推动行业向绿色化、低成本化方向发展。吉田半导体光刻胶的优势在于技术全面性、环保创新、质量稳定性及本土化服务,尤其在纳米压印、厚膜工艺及水性胶领域形成差异化竞争力。
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厚板光刻胶
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电路板制造:在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时,厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性,比如汽车电子、工业控制等领域的电路板,能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
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功率器件制造:像绝缘栅双极晶体管(IGBT)这类功率器件,需要承受高电压和大电流,厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节,保障芯片内部电路的精细布局,提高器件的性能和可靠性。
负性光刻胶
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半导体制造:在芯片制造过程中,用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构,如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺,能实现精确的图形转移,确保芯片各部分之间的电气连接正常。
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平板显示制造:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)的制造中,用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例,负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案,控制液晶分子的排列,从而实现图像显示。
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不同光刻胶类型的适用场景对比
类型 波长范围 分辨率 典型应用产品
G线/i线光刻胶 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩阵 吉田半导体JT-100系列
KrF光刻胶 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制备 吉田半导体YK-300系列
ArF光刻胶 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED电极图案化 国际主流:JSR ARF系列
EUV光刻胶 13.5nm ≤7nm 7nm以下先进制程、3D NAND堆叠 研发中(吉田半导体合作攻关)
水性光刻胶 全波长适配 5-50μm 柔性显示、环保PCB阻焊层 吉田半导体WT-200系列
总结:多领域渗透的“工业维生素”
光刻胶的应用深度绑定电子信息产业,从半导体芯片的“纳米级雕刻”到PCB的“毫米级线路”,再到显示面板的“色彩精细控制”,其技术参数(分辨率、耐蚀刻性、灵敏度)需根据场景设计。随着**新能源(车规芯片、光伏)、新型显示(Micro LED)、先进制造(纳米压印)**等领域的发展,光刻胶的应用边界将持续扩展,成为支撑制造的关键材料。
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产品特点:耐溶剂型优良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能优良;经特殊乳化聚合技术处理,网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高;剥膜性好,网版可再生使用;解像性、高架桥性好,易做精细网点和线条;感光度高,曝光时间短,曝光宽容度大,节省网版作业时间,提高工作效率 。
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应用范围:适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板(PCB)、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案,满足皮革制品精细印刷需求,制作各类标牌保证图案清晰,用于 PCB 制造满足高精度要求等。
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主要应用场景
印刷电路板(PCB):
? 通孔/线路加工:负性胶厚度可达20-50μm,耐碱性蚀刻液(如氯化铁、碱性氯化铜),适合制作大尺寸线路(线宽/线距≥50μm),如双面板、多层板的外层电路。
? 阻焊层:作为绝缘保护层,覆盖非焊盘区域,需厚胶(50-100μm)和高耐焊接温度(260℃以上),负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。
微机电系统(MEMS):
? 深硅蚀刻(DRIE):负性胶作为蚀刻掩膜,厚度可达100μm以上,耐SF?等强腐蚀性气体,用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽比结构(深宽比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用负性胶的厚胶成型能力。
平板显示(LCD):
? 彩色滤光片(CF)基板预处理:在玻璃基板上制作绝缘层或缓冲层,耐湿法蚀刻(如HF溶液),确保后续RGB色阻层的精确涂布。
功率半导体与分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔离区蚀刻:负性胶用于制作较宽的隔离沟槽(宽度>10μm),耐高浓度酸碱蚀刻,降低工艺成本。
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行业地位与竞争格局
1. 国际对比
? 技术定位:聚焦细分市场(如纳米压印、LCD),而国际巨头(如JSR、东京应化)主导半导体光刻胶(ArF、EUV)。
? 成本优势:原材料自主化率超80%,成本低20%;国际巨头依赖进口原材料,成本较高。
? 客户响应:48小时内提供定制化解决方案,认证周期为国际巨头的1/5。
2. 国内竞争
国内光刻胶市场仍由日本企业垄断(全球市占率超60%),但吉田在纳米压印、LCD光刻胶等领域具备替代进口的潜力。与南大光电、晶瑞电材等企业相比,吉田在细分市场的技术积累更深厚,但ArF、EUV光刻胶仍需突破。
风险与挑战
技术瓶颈:ArF、EUV光刻胶仍依赖进口,研发投入不足国际巨头的1/10。
客户认证周期:半导体光刻胶需2-3年验证,吉田尚未进入主流晶圆厂供应链。
供应链风险:部分树脂(如ArF用含氟树脂)依赖日本住友电木。
行业竞争加剧:国内企业如南大光电、晶瑞电材加速技术突破,可能挤压吉田的市场份额。
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