1. 正性光刻胶（如 YK-300）
   应用场景：用于芯片的精细图案化，如集成电路（IC）、分立器件（二极管、三极管）的制造。
   特点：高分辨率（可达亚微米级），适用于多层光刻工艺，确保芯片电路的高精度与可靠性。
2. 负性光刻胶（如 JT-1000）
   应用场景：用于功率半导体（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及传感器（如 MEMS）的微结构成型。
   特点：抗蚀刻能力强，适合复杂图形的转移，尤其在深宽比要求较高的工艺中表现优异。
3. 纳米压印光刻胶（JT-2000）
   应用场景：第三代半导体（GaN、SiC）芯片、量子点器件及微流控芯片的制造。特点：耐高温（250℃）、耐酸碱，支持纳米级精度图案复制，降低芯片的制造成本。

吉田半导体突破光刻胶共性难题，提升行业生产效率，通过优化材料配方与工艺，吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题，助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题，吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%，密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术，在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤，使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本，推动行业生产效率提升。负性光刻胶生产原料。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。

厚板光刻胶：JT-3001 型号，具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺，如特定电路板制造。

负性光刻胶

• SU-3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
• 负性光刻胶 JT-1000：有 1L 和 100g 两种规格，具有优异的分辨率、良好的对比度和高曝光灵敏度，光源适应。主要应用于对光刻精度要求高的领域，如半导体器件制造。
• 耐腐蚀负性光刻胶 JT-NF100：重量 1L，具备耐腐蚀特性。适用于有腐蚀风险的光刻工艺，如特殊环境下的半导体加工或电路板制造。

吉田半导体：以技术革新驱动光刻胶产业升级。深圳光刻胶多少钱

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