山西水性光刻胶国产厂家

来源：发布时间：2025-05-21

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。

厚板光刻胶：JT-3001 型号，具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好，符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺，如特定电路板制造。

负性光刻胶

SU-3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应，重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
负性光刻胶 JT-1000：有 1L 和 100g 两种规格，具有优异的分辨率、良好的对比度和高曝光灵敏度，光源适应。主要应用于对光刻精度要求高的领域，如半导体器件制造。
耐腐蚀负性光刻胶 JT-NF100：重量 1L，具备耐腐蚀特性。适用于有腐蚀风险的光刻工艺，如特殊环境下的半导体加工或电路板制造。

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光刻胶的主要应用领域

光刻胶是微电子制造的主要材料，广泛应用于以下领域：

半导体制造

? 功能：在晶圆表面形成微细电路图案，作为蚀刻或离子注入的掩膜。

? 分类：

? 正性光刻胶：曝光区域溶解于显影液，形成与掩膜版一致的图案（主流，分辨率高）。

? 负性光刻胶：未曝光区域溶解，形成反向图案（用于早期工艺，耐蚀刻性强）。

? 技术演进：随制程精度提升，需匹配不同曝光波长（紫外UV、深紫外DUV、极紫外EUV），例如EUV光刻胶用于7nm以下制程。

平板显示（LCD/OLED）

? 彩色滤光片（CF）：在玻璃基板上制作红/绿/蓝像素单元，光刻胶用于图案化黑矩阵（BM）、彩色层（R/G/B）和保护层。

? 电极图案：制作TFT-LCD的电极线路或OLED的阴极/阳极，需高透光率和精细边缘控制。

印刷电路板（PCB）

? 线路蚀刻：在覆铜板上涂胶，曝光显影后保留线路区域，蚀刻去除未保护的铜箔，形成导电线路。

? 阻焊与字符层：阻焊胶覆盖非线路区域，防止短路；字符胶用于印刷电路板标识。

LED与功率器件

? 芯片制造：在蓝宝石/硅基板上制作电极和量子阱结构，需耐高功率环境的耐高温光刻胶。

? Micro-LED：微米级芯片转移和阵列化，依赖超高分辨率光刻胶（分辨率≤5μm）。

四川光刻胶感光胶吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，各有特性与优势，适用于不同领域。

厚板光刻胶 JT - 3001：具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年，适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景，如一些特殊的电路板制造。

SU - 3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应。重量为 100g，常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000：有 1L 和 100g 两种规格，具有优异的分辨率，准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造，能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶：耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高。重量 100g，适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺，如一些半导体器件的制造。

定义与特性

正性光刻胶是一种在曝光后，曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案一致的图形。与负性光刻胶（未曝光区域溶解）相比，其优势是分辨率高、图案边缘清晰，是半导体制造（尤其是制程）的主流选择。

化学组成与工作原理

主要成分

? 树脂（成膜剂）：

? 传统正性胶：采用**酚醛树脂（Novolak）与重氮萘醌（DNQ，光敏剂）**的复合体系（PAC体系），占比约80%-90%。

? 化学增幅型（用于DUV/EUV）：含环化烯烃树脂或含氟聚合物，搭配光酸发生器（PAG），通过酸催化反应提高感光度和分辨率。

? 溶剂：溶解树脂和感光剂，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

? 添加剂：表面活性剂（改善涂布均匀性）、稳定剂（防止暗反应）、碱溶解度调节剂等。

工作原理

? 曝光前：光敏剂（如DNQ）与树脂结合，形成不溶于碱性显影液的复合物。

? 曝光时：

? 传统PAC体系：DNQ在紫外光（G线436nm、I线365nm）照射下发生光分解，生成羧酸，使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。

? 化学增幅型：PAG在DUV/EUV光下产生活性酸，催化树脂发生脱保护反应，大幅提高显影速率（灵敏度提升10倍以上）。

? 显影后：曝光区域溶解去除，未曝光区域保留，形成正性图案。

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光刻胶的纳米级性能要求

超高分辨率：需承受电子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波长）的轰击，避免散射导致的边缘模糊，目前商用EUV胶分辨率已达13nm（3nm制程）。

低缺陷率：纳米级结构对胶层中的颗粒或化学不均性极其敏感，需通过化学增幅型配方（如酸催化交联）提升对比度和抗刻蚀性。

多功能性：兼容多种基底（柔性聚合物、陶瓷）和后处理工艺（干法刻蚀、原子层沉积），例如用于柔性电子的可拉伸光刻胶。

技术挑战与前沿方向

? EUV光刻胶优化：解决曝光后酸扩散导致的线宽波动，开发含氟聚合物或金属有机材料以提高灵敏度。

? 无掩膜光刻：结合机器学习优化电子束扫描路径，直接写入复杂纳米图案（如神经网络芯片的突触阵列），缩短制备周期。

? 生物基光刻胶：开发可降解、低毒性的天然高分子光刻胶，用于生物芯片或环保型纳米制造。

聚焦封装需求，吉田公司提供从光刻胶到配套材料的一姑式服务。山东阻焊光刻胶厂家

发展战略与行业地位。山西水性光刻胶国产厂家

企业定位与资质

? 成立背景：深耕半导体材料行业23年，位于松山湖经济技术开发区，注册资本2000万元，是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。

? 质量体系：通过ISO9001:2008认证，严格执行8S现场管理，原材料源自美国、德国、日本等国，确保产品稳定性。

? 市场布局：产品远销全球，与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系，覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。

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企业优势

? 研发能力：拥有多项专利证书，自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品，配备全自动化生产设备，具备从材料合成到成品制造的全流程能力。

? 产能与品控：采用进口原材料和严格制程管控，确保金属杂质含量低于行业标准（如半导体光刻胶金属杂质<5ppb），良率达99%以上。

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