吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001:国产技术助力 PCB 行业升级
JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻,成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证,已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺,批次稳定性达 99.5%,帮助客户提升生产效率 20%,加速国产 PCB 行业技术升级,推动 PCB 行业国产化进程。
吉田半导体光刻胶,45nm 制程验证,国产替代方案!陕西高温光刻胶国产厂家
半导体集成电路
? 应用场景:
? 晶圆制造:正性胶为主(如ArF/EUV胶),实现20nm以下线宽,用于晶体管栅极、接触孔等精细结构;
? 封装工艺:负性胶用于凸点(Bump)制造,厚胶(5-50μm)耐电镀溶液腐蚀。
? 关键要求:高分辨率、低缺陷率、耐极端工艺(如150℃以上高温、等离子体轰击)。
印刷电路板(PCB)
? 应用场景:
? 线路成像:负性胶(如环化橡胶胶)用于双面板/多层板外层线路,线宽≥50μm,耐碱性蚀刻液(如氯化铜);
? 阻焊层:厚负性胶(50-100μm)覆盖非焊盘区域,耐260℃焊接温度和助焊剂腐蚀;
? 挠性PCB(FPC):正性胶用于精细线路(线宽≤20μm),需耐弯曲应力。
? 优势:工艺简单、成本低,适合大面积基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板显示
? 应用场景:
? 彩色滤光片:正性胶制作黑矩阵(BM)和RGB色阻间隔层,耐UV固化和湿法蚀刻(如HF溶液);
? OLED像素定义:负性胶形成像素开口(孔径5-50μm),耐有机溶剂(如OLED蒸镀前的清洗液);
? 触控面板:正性胶制作透明电极(如ITO线路),线宽≤10μm,需透光率>90%。
? 关键参数:高透光性、低收缩率(避免图案变形)。
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广东吉田半导体材料有限公司,坐落于松山湖经济技术开发区,是半导体材料领域的一颗璀璨明珠。公司注册资本 2000 万元,专注于半导体材料的研发、生产与销售,是国家高新技术企业、广东省专精特新企业以及广东省创新型中小企业。
强大的产品阵容:吉田半导体产品丰富且实力强劲。芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶精细满足芯片制造、微纳加工等关键环节需求;半导体锡膏、焊片在电子焊接领域性能;靶材更是在材料溅射沉积工艺中发挥关键作用。这些产品远销全球,与众多世界 500 强企业及电子加工企业建立了长期稳固的合作关系。
雄厚的研发生产实力:作为一家拥有 23 年研发与生产经验的综合性企业,吉田半导体具备行业前列规模与先进的全自动化生产设备。23 年的深耕细作,使其在技术研发、工艺优化等方面积累了深厚底蕴,能够快速响应市场需求,不断推出创新性产品。
严格的质量管控:公司始终将品质视为生命线,严格按照 ISO9001:2008 质量体系标准监控生产制程。生产环境执行 8S 现场管理,从源头抓起,所有生产材料均选用美国、德国、日本等国家进口的高质量原料,确保客户使用到超高质量且稳定的产品。
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正性光刻胶(如 YK-300)
应用场景:用于芯片的精细图案化,如集成电路(IC)、分立器件(二极管、三极管)的制造。
特点:高分辨率(可达亚微米级),适用于多层光刻工艺,确保芯片电路的高精度与可靠性。
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负性光刻胶(如 JT-1000)
应用场景:用于功率半导体(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及传感器(如 MEMS)的微结构成型。
特点:抗蚀刻能力强,适合复杂图形的转移,尤其在深宽比要求较高的工艺中表现优异。
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纳米压印光刻胶(JT-2000)
应用场景:第三代半导体(GaN、SiC)芯片、量子点器件及微流控芯片的制造。特点:耐高温(250℃)、耐酸碱,支持纳米级精度图案复制,降低芯片的制造成本。
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公司遵循国际质量管理标准,通过 ISO9001:2008 认证,并在生产过程中执行 8S 现场管理,从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例,其无卤无铅配方符合环保要求,同时具备低飞溅、高润湿性等特点,适用于电子产品组装。此外,公司建立了行业标准化实验室,配备先进检测设备,确保产品性能达到国际同类水平。
凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
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主要应用场景
印刷电路板(PCB):
? 通孔/线路加工:负性胶厚度可达20-50μm,耐碱性蚀刻液(如氯化铁、碱性氯化铜),适合制作大尺寸线路(线宽/线距≥50μm),如双面板、多层板的外层电路。
? 阻焊层:作为绝缘保护层,覆盖非焊盘区域,需厚胶(50-100μm)和高耐焊接温度(260℃以上),负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。
微机电系统(MEMS):
? 深硅蚀刻(DRIE):负性胶作为蚀刻掩膜,厚度可达100μm以上,耐SF?等强腐蚀性气体,用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽比结构(深宽比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用负性胶的厚胶成型能力。
平板显示(LCD):
? 彩色滤光片(CF)基板预处理:在玻璃基板上制作绝缘层或缓冲层,耐湿法蚀刻(如HF溶液),确保后续RGB色阻层的精确涂布。
功率半导体与分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔离区蚀刻:负性胶用于制作较宽的隔离沟槽(宽度>10μm),耐高浓度酸碱蚀刻,降低工艺成本。
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