贵州UV纳米光刻胶供应商

来源：发布时间：2025-05-20

吉田半导体 SU-3 负性光刻胶：国产技术赋能 5G 芯片封装

自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工，成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求，吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶，分辨率达 1.5μm，抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性，已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺，不采用国外材料，成本较进口产品降低 40%，帮助客户提升封装良率至 98.5%，为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。

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纳米制造与表面工程

? 纳米结构模板：作为纳米压印光刻（NIL）的母版制备材料，通过电子束光刻胶写出高精度纳米图案（如50nm以下的柱阵列、孔阵列），用于批量复制微流控芯片或柔性显示基板。

? 表面功能化：在基底表面构建纳米级粗糙度（如仿生荷叶超疏水表面）或化学图案（引导细胞定向生长的纳米沟槽），用于生物医学或能源材料（如电池电极的纳米阵列结构）。

量子技术与精密测量

? 超导量子比特：在铌酸锂或硅基底上，通过光刻胶定义纳米级约瑟夫森结阵列，构建量子电路。

? 纳米传感器：制备纳米级悬臂梁（表面镀光刻胶图案化的金属电极），用于探测单个分子的质量或电荷变化（分辨率达亚纳米级）。

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全品类覆盖
吉田半导体产品线涵盖正性 / 负性光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、厚膜光刻胶及水性光刻胶等，覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等多领域需求，技术布局全面性于多数国内厂商。
关键技术突破
纳米压印技术：JT-2000 纳米压印光刻胶耐高温达 250℃，支持纳米级精度图案复制，适用于第三代半导体（GaN/SiC）及 Mini LED 等新兴领域，技术指标接近国际先进水平。
水性环保配方：JT-1200 水性感光胶以水为溶剂替代传统有机溶剂，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 标准，环保性能优于同类产品。
厚膜工艺能力：JT-3001 厚板光刻胶膜厚可控（达数十微米），满足高密度像素阵列及 MEMS 器件的制造需求。

凭借多年研发积累，公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面，不仅提供常规锡膏、助焊膏，还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品，满足精密电子组装的多样化需求。同时，感光胶系列产品分为水性与油性两类，兼具耐潮性与易操作性，广泛应用于印刷电路板制造。

公司产品远销全球，并与多家跨国企业及电子加工企业建立长期合作关系。通过在重点区域设立办事处，提供快速响应的技术支持与售后服务。依托东莞 “世界工厂” 的产业资源，公司强化供应链协同，缩短交付周期，为客户提供高效解决方案。

未来，广东吉田半导体材料有限公司将继续深化技术创新，拓展产品应用领域，以可靠的产品与专业的服务，持续巩固其在半导体材料行业的重要地位。

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作为深耕半导体材料领域二十余年的综合性企业，广东吉田半导体材料有限公司始终将技术创新与产品质量视为重要发展动力。公司位于东莞松山湖产业集群，依托区域产业链优势，持续为全球客户提供多元化的半导体材料解决方案。

公司产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等，原材料均严格选用美国、德国、日本等国的质量进口材料。通过全自动化生产设备与精细化工艺控制，确保每批次产品的稳定性与一致性。例如，纳米压印光刻胶采用特殊配方，可耐受 250℃高温及复杂化学环境，适用于高精度纳米结构制造；LCD 光刻胶以高分辨率和稳定性，成为显示面板行业的推荐材料。

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定义与特性

负性光刻胶是一种在曝光后，未曝光区域会溶解于显影液的光敏材料，形成与掩膜版（Mask）图案相反的图形。与正性光刻胶相比，其主要特点是耐蚀刻性强、工艺简单、成本低，但分辨率较低（通常≥1μm），主要应用于对精度要求相对较低、需要厚胶或高耐腐蚀性的场景。

化学组成与工作原理

主要成分

基体树脂：

? 早期以聚异戊二烯橡胶（天然或合成）为主，目前常用环化橡胶（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供胶膜的机械强度和耐蚀刻性。

光敏剂：

? 主要为双叠氮化合物（如双叠氮芪）或重氮醌类衍生物，占比约5%-10%，吸收紫外光后引发交联反应。

交联剂：

? 如六亚甲基四胺（乌洛托品），在曝光后与树脂发生交联，形成不溶性网状结构。

溶剂：

? 多为有机溶剂（如二甲苯、环己酮），溶解树脂和光敏剂，涂布后挥发形成均匀胶膜。

工作原理

曝光前：光敏剂和交联剂均匀分散在树脂中，胶膜可溶于显影液（有机溶剂）。

曝光时：

? 光敏剂吸收紫外光（G线436nm为主）后产生活性自由基，引发交联剂与树脂分子间的共价键交联，使曝光区域形成不溶于显影液的三维网状结构。

显影后：

? 未曝光区域的树脂因未交联，被显影液溶解去除，曝光区域保留，形成负性图案（与掩膜版相反）。

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