山西低温光刻胶国产厂家
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发布时间：2025-05-20
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感光胶的工艺和应用。
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光刻胶的主要应用领域
光刻胶是微电子制造的主要材料，广泛应用于以下领域：
半导体制造
? 功能：在晶圆表面形成微细电路图案，作为蚀刻或离子注入的掩膜。
? 分类：
? 正性光刻胶：曝光区域溶解于显影液，形成与掩膜版一致的图案（主流，分辨率高）。
? 负性光刻胶：未曝光区域溶解，形成反向图案（用于早期工艺，耐蚀刻性强）。
? 技术演进：随制程精度提升，需匹配不同曝光波长（紫外UV、深紫外DUV、极紫外EUV），例如EUV光刻胶用于7nm以下制程。
平板显示（LCD/OLED）
? 彩色滤光片（CF）：在玻璃基板上制作红/绿/蓝像素单元，光刻胶用于图案化黑矩阵（BM）、彩色层（R/G/B）和保护层。
? 电极图案：制作TFT-LCD的电极线路或OLED的阴极/阳极，需高透光率和精细边缘控制。
印刷电路板（PCB）
? 线路蚀刻：在覆铜板上涂胶，曝光显影后保留线路区域，蚀刻去除未保护的铜箔，形成导电线路。
? 阻焊与字符层：阻焊胶覆盖非线路区域，防止短路；字符胶用于印刷电路板标识。
LED与功率器件
? 芯片制造：在蓝宝石/硅基板上制作电极和量子阱结构，需耐高功率环境的耐高温光刻胶。
? Micro-LED：微米级芯片转移和阵列化，依赖超高分辨率光刻胶（分辨率≤5μm）。
感光胶的工艺和应用。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别，以满足不同领域的需求。
UV 纳米压印光刻胶：JT-2000 型号，耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高，重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺，如半导体器件制造。
其他光刻胶
- 水油光刻胶 JT-2001：属于水油两用光刻胶，具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点，重量 1L。
- 水油光刻胶 SR-3308：同样为水油两用光刻胶，重量 5L，具备上述通用优势，应用场景。
厚板光刻胶 JT-3001，抗深蚀刻，PCB 电路板制造Preferred!吉林负性光刻胶厂家
光刻胶：半导体之路上的挑战与突破。山西低温光刻胶国产厂家
? 化学反应：
? 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；
? 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影（Development）
? 显影液：
? 正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；
? 负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。
? 方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘（Post-Bake）
? 目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。
? 条件：
? 温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；
? 时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。
7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）
? 蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；
? 离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。
8. 去胶（Strip）
? 方法：
? 湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
? 干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。
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