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合肥阻焊光刻胶感光胶

来源: 发布时间:2025-05-16

纳米压印光刻胶


  • 微纳光学器件制造:制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时,纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术,将模板上的微纳图案转移到光刻胶上,再经过后续处理,可制造出具有特定光学性能的微纳光学器件,应用于光通信、光学成像等领域。
  • 生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白质芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面构建高精度的微纳结构,用于生物分子的固定和检测。纳米压印光刻胶可帮助实现这些精细结构的制作,提高生物芯片的检测灵敏度和准确性。

  • 吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造环保光刻胶。合肥阻焊光刻胶感光胶

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    技术挑战与发展趋势

     更高分辨率需求:

    ? EUV光刻胶需解决“线边缘粗糙度(LER)”问题(目标<5nm),通过纳米颗粒分散技术或新型聚合物设计改善。

     缺陷控制:

    ? 半导体级正性胶要求金属离子含量<1ppb,颗粒(>50nm)<1个/mL,需优化提纯工艺(如多级过滤+真空蒸馏)。

     国产化突破:

    ? 国内企业(如上海新阳、南大光电、容大感光)已在KrF/ArF胶实现批量供货,但EUV胶仍被日本JSR、美国陶氏、德国默克垄断,需突破树脂合成、PAG纯度等瓶颈。

     环保与节能:

    ? 开发水基显影正性胶(减少有机溶剂使用),或低烘烤温度胶(降低半导体制造能耗)。

    典型产品示例

    ? 传统正性胶:Shipley S1813(G/I线,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩阵)。

    ? DUV正性胶:信越化学的ArF胶(用于14nm FinFET制程)、中芯国际认证的国产KrF胶(28nm节点)。

    ? EUV正性胶:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。

    正性光刻胶是推动半导体微缩的主要材料,其技术进步直接关联芯片制程的突破,未来将持续向更高精度、更低缺陷、更绿色工艺演进。
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    广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。

    UV 纳米压印光刻胶:JT-2000 型号,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如半导体器件制造。

    其他光刻胶

    • 水油光刻胶 JT-2001:属于水油两用光刻胶,具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点,重量 1L。
    • 水油光刻胶 SR-3308:同样为水油两用光刻胶,重量 5L,具备上述通用优势,应用场景。


    关键应用领域

    半导体制造:

    ? 在晶圆表面涂覆光刻胶,通过掩膜曝光、显影,刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构(如EUV光刻胶用于7nm以下制程)。

     印刷电路板(PCB):

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     显示面板(LCD/OLED):

    ? 用于制备彩色滤光片、电极图案等。

     微机电系统(MEMS):

    ? 加工微结构(如传感器、执行器)。

    工作原理(以正性胶为例)

    1. 涂胶:在基材(如硅片)表面均匀旋涂光刻胶,烘干形成薄膜。

    2. 曝光:通过掩膜版,用特定波长光线照射,曝光区域的光敏剂分解,使树脂变得易溶于显影液。

    3. 显影:用显影液溶解曝光区域,留下未曝光的光刻胶图案,作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。

    4. 后续工艺:刻蚀基材(保留未被光刻胶保护的区域),或去除光刻胶(剥离工艺)。
    吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。

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    工艺流程

    ? 目的:去除基板表面油污、颗粒,增强感光胶附着力。

    ? 方法:

    ? 化学清洗(硫酸/双氧水、去离子水);

    ? 表面处理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化处理)。

     涂布(Coating)

    ? 方式:

    ? 旋涂:半导体/显示领域,厚度控制精确(纳米至微米级),转速500-5000rpm;

    ? 喷涂/辊涂:PCB/MEMS领域,适合大面积或厚胶(微米至百微米级,如负性胶可达100μm)。

    ? 关键参数:胶液黏度、涂布速度、基板温度(影响厚度均匀性)。

     前烘(Soft Bake)

    ? 目的:挥发溶剂,固化胶膜,增强附着力和稳定性。

    ? 条件:

    ? 温度:60-120℃(正性胶通常更低,如90℃;负性胶可至100℃以上);

    ? 时间:5-30分钟(根据胶厚调整,厚胶需更长时间)。

     曝光(Exposure)

    ? 光源:

    ? 紫外光(UV):G线(436nm)、I线(365nm)用于传统光刻(分辨率≥1μm);

    ? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半导体先进制程(分辨率至20nm);

    ? 极紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性胶适用)。

    ? 曝光方式:

    ? 接触式/接近式:掩膜版与胶膜直接接触(PCB、MEMS,低成本但精度低);

    ? 投影式:通过物镜聚焦(半导体,分辨率高,如ArF光刻机精度达22nm)。

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     绿色制造与循环经济
    公司采用水性光刻胶技术,溶剂挥发量较传统产品降低60%,符合欧盟REACH法规和国内环保标准。同时,其光刻胶废液回收项目已投产,通过膜分离+精馏技术实现90%溶剂循环利用,年减排VOCs(挥发性有机物)超100吨。

     低碳供应链管理
    吉田半导体与上游供应商合作开发生物基树脂,部分产品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放强度较传统工艺降低30%。这一举措使其在光伏电池和新能源汽车领域获得客户青睐,相关订单占比从2022年的15%提升至2023年的25%。
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