重庆LCD光刻胶厂家
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发布时间：2025-05-15
工艺流程
? 目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。
? 方法：
? 化学清洗（硫酸/双氧水、去离子水）；
? 表面处理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化处理）。
涂布（Coating）
? 方式：
? 旋涂：半导体/显示领域，厚度控制精确（纳米至微米级），转速500-5000rpm；
? 喷涂/辊涂：PCB/MEMS领域，适合大面积或厚胶（微米至百微米级，如负性胶可达100μm）。
? 关键参数：胶液黏度、涂布速度、基板温度（影响厚度均匀性）。
前烘（Soft Bake）
? 目的：挥发溶剂，固化胶膜，增强附着力和稳定性。
? 条件：
? 温度：60-120℃（正性胶通常更低，如90℃；负性胶可至100℃以上）；
? 时间：5-30分钟（根据胶厚调整，厚胶需更长时间）。
曝光（Exposure）
? 光源：
? 紫外光（UV）：G线（436nm）、I线（365nm）用于传统光刻（分辨率≥1μm）；
? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半导体先进制程（分辨率至20nm）；
? 极紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性胶适用）。
? 曝光方式：
? 接触式/接近式：掩膜版与胶膜直接接触（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
? 投影式：通过物镜聚焦（半导体，分辨率高，如ArF光刻机精度达22nm）。
- YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
- SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
- JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
主要原材料“卡脖子”：从树脂到光酸的依赖
树脂与光酸的技术断层
光刻胶成本中50%-60%来自树脂，而国内KrF/ArF光刻胶树脂的单体国产化率不足10%。例如，日本信越化学的KrF树脂纯度达99.999%，金属杂质含量低于1ppb，而国内企业的同类产品仍存在批次稳定性问题。光酸作为光刻胶的“心脏”，其合成需要超纯试剂和复杂纯化工艺，国内企业在纯度控制（如金属离子含量）上与日本关东化学等国际巨头存在代差。
原材料供应链的脆弱性
光刻胶所需的酚醛树脂、环烯烃共聚物（COC）等关键原料几乎全部依赖进口。日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后，国内部分晶圆厂采购量从100kg/期骤降至10-20kg/期。更严峻的是，光敏剂原料焦性没食子酸虽由中国提取，但需出口至日本加工成光刻胶光敏剂后再高价返销，形成“原料出口-技术溢价-高价进口”的恶性循环。
光刻胶的工作原理：
1. 涂覆与曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均匀涂覆光刻胶，通过掩膜（或直接电子束扫描）对特定区域曝光。
2. 化学变化：曝光区域的光刻胶发生光化学反应（正性胶曝光后溶解，负性胶曝光后交联不溶）。
3. 显影与刻蚀：溶解未反应的部分，留下图案化的胶层，作为后续刻蚀或沉积的掩模，将图案转移到基底上。
在纳米技术中，关键挑战是突破光的衍射极限（λ/2），因此需依赖高能束曝光技术（如电子束光刻、极紫外EUV光刻）和高性能光刻胶（高分辨率、低缺陷）。
产品优势：多元化布局与专业化延伸
全品类覆盖
吉田产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等，形成“光刻胶+配套材料”的完整产品线。例如：
? 芯片光刻胶：覆盖i线、g线光刻胶，适用于6英寸、8英寸晶圆制造。
? 纳米压印光刻胶：用于MEMS、光学器件等领域，替代传统光刻工艺。
专业化延伸
公司布局半导体用KrF光刻胶，计划2025年启动研发，目标进入中芯国际、长江存储等晶圆厂供应链。
质量与生产优势：严格品控与自动化生产
ISO认证与全流程管控
公司通过ISO9001:2008质量体系认证，生产环境执行8S管理，原材料采用美、德、日进口高质量材料，确保产品批次稳定性。
质量指标：光刻胶金属离子含量低于0.1ppb，良率超99%。
自动化生产能力
拥有行业前列的全自动化生产线，年产能达2000吨（光刻胶及配套材料），支持大规模订单交付。
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