吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域,通过差异化技术(如纳米压印、厚膜工艺)和环保特性(水性配方),满足从传统电子到新兴领域(如第三代半导体、Mini LED)的多样化需求。其产品不仅支持高精度、高可靠性的制造工艺,还通过材料创新推动行业向绿色化、低成本化方向发展。吉田半导体光刻胶的优势在于技术全面性、环保创新、质量稳定性及本土化服务,尤其在纳米压印、厚膜工艺及水性胶领域形成差异化竞争力。
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吉田半导体的自研产品已深度融入国内半导体产业链:
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芯片制造:YK-300 光刻胶服务中芯国际、长江存储,支持国产 14nm 芯片量产。
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显示面板:YK-200 LCD 光刻胶市占率达 15%,成为京东方、华星光电战略合作伙伴。
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新能源领域:无卤无铅焊片通过 UL 认证,批量应用于宁德时代储能系统,年供货量超 500 吨。
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研发投入:年研发费用占比超 15%,承担国家 02 专项课题,获 “国家技术发明二等奖”。
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产能规模:光刻胶年产能 5000 吨,纳米压印光刻胶占全球市场份额 15%。
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质量体系:通过 ISO9001、IATF 16949 等认证,生产过程执行 8S 管理,批次稳定性达 99.5%。
吉田半导体将继续聚焦光刻胶研发,加速 EUV 光刻胶与木基材料技术突破,目标在 2027 年前实现 7nm 制程材料量产。同时,深化国产供应链协同,构建 “材料 - 设备 - 工艺” 一体化生态圈,为中国半导体产业自主化贡献 “吉田力量”。
从突破国际垄断到行业标准,吉田半导体以自研自产为引擎,走出了一条中国半导体材料企业的崛起之路。未来,公司将以更具竞争力的产品与技术,助力中国半导体产业迈向更高台阶。
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关键工艺流程
涂布:
? 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。
? DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-14nm制程,如存储芯片)。
? EUV胶(13.5nm):极紫外光源(用于7nm以下制程,需控制纳米级缺陷)。
? 曝光能量:需精确控制(如ArF胶约50mJ/cm2),避免过曝或欠曝导致图案失真。
显影:
? 采用碱性溶液(如0.262N四甲基氢氧化铵,TMAH),曝光区域胶膜溶解,未曝光区域保留,形成三维立体图案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化学增幅型胶需此步骤,通过加热(90-130℃)激发光酸催化反应,提高分辨率和耐蚀刻性。
技术挑战
光刻胶作为半导体、显示面板等高级制造的材料,其技术挑战主要集中在材料性能优化、制程精度匹配、复杂环境适应性以及产业自主化突破等方面
纳米级图案化的主要工具。
? 高分辨率:随着半导体制程向3nm、2nm推进,需开发更高精度的EUV光刻胶,解决光斑扩散、线宽控制等问题。
? 灵敏度与稳定性:平衡感光速度和图案抗蚀能力,适应极紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
? 国产化替代:目前光刻胶(如EUV、ArF浸没式)长期被日本、美国企业垄断,国内正加速研发突破。
光刻胶的性能直接影响芯片制造的良率和精度,是支撑微电子产业的“卡脖子”材料之一。
吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001:国产技术助力 PCB 行业升级
JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻,成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证,已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺,批次稳定性达 99.5%,帮助客户提升生产效率 20%,加速国产 PCB 行业技术升级,推动 PCB 行业国产化进程。
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研发投入的“高门槛”
一款KrF光刻胶的研发费用约2亿元,而国际巨头年研发投入超10亿美元。国内企业如彤程新材2024年半导体光刻胶业务营收只5.4亿元,研发投入占比不足15%,难以支撑长期技术攻关。
2. 价格竞争的“双重挤压”
国内PCB光刻胶价格较国际低30%,但半导体光刻胶因性能差距,价格为进口产品的70%,而成本却高出20%。例如,国产ArF光刻胶售价约150万元/吨,而日本同类产品为120万元/吨,且性能更优。
突破路径与未来展望
原材料国产化攻坚:聚焦树脂单体合成、光酸纯化等关键环节,推动八亿时空、怡达股份等企业实现百吨级量产。
技术路线创新:探索金属氧化物基光刻胶、电子束光刻胶等新方向,华中科技大学团队已实现5nm线宽原型验证。
产业链协同创新:借鉴“TSMC-供应商”模式,推动晶圆厂与光刻胶企业共建联合实验室,缩短认证周期。
政策与资本双轮驱动:依托国家大基金三期,对通过验证的企业给予设备采购补贴(30%),并设立专项基金支持EUV光刻胶研发。
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广东吉田半导体材料有限公司在同行业领域中,一直处在一个不断锐意进取,不断制造创新的市场高度,多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准,在广东省等地区的电工电气中始终保持良好的商业口碑,成绩让我们喜悦,但不会让我们止步,残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志,和谐温馨的工作环境,富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新,勇于进取的无限潜力,吉田半导体供应携手大家一起走向共同辉煌的未来,回首过去,我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜,相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围,我们更要明确自己的不足,做好迎接新挑战的准备,要不畏困难,激流勇进,以一个更崭新的精神面貌迎接大家,共同走向辉煌回来!