二极管依据功能可分为多种类型,每种类型都在电子电路中有着独特的作用,为电路设计提供了丰富的功能模块。整流二极管是非常常见的一种。它的主要功能是将交流电转换为直流电。在电源电路中,无论是小型的电子设备电源,还是大型的工业电源系统,整流二极管都发挥着关键作用。例如,在一个简单的半波整流电路中,利用一个整流二极管,当交流电压处于正半周时,二极管导通,电流通过负载;而当交流电压处于负半周时,二极管截止,负载上没有电流通过。这样,在负载两端就得到了一个只有正半周的脉动直流电压。在全波整流和桥式整流电路中,多个整流二极管相互配合,可以更有效地将交流电转换为直流电,提高整流效率,为后续的电子设备提供稳定的直流电源。二极管具有单向导电性,它只允许电流从正极流向负极。PEMD20全系列二三极管原厂直供
二极管的关键特性参数包括较大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流、正向压降等。较大整流电流决定了二极管能够长期通过的较大正向平均电流,选型时需确保实际工作电流小于该值,以免器件过热损坏;最高反向工作电压是二极管能承受的较大反向电压,超过此值会导致反向击穿,影响电路安全。反向饱和电流越小,二极管的性能越稳定;正向压降则影响电路的功率损耗。在电源整流电路中,需选用较大整流电流和最高反向工作电压适配的二极管;在高频电路中,优先考虑结电容小、反向恢复时间短的型号,以减少信号失真,合理选型是保障二极管正常工作和电路稳定运行的关键。PEMD20全系列二三极管原厂直供光电二极管可将光信号转换为电信号,是光通信的关键元件。
掺杂工艺:掺杂是为了在硅中引入特定的杂质,形成P型或N型半导体。在制造P型半导体时,通常采用硼等三价元素作为杂质进行掺杂。这可以通过离子注入或扩散等方法实现。离子注入是将硼离子加速后注入到硅片中,其优点是可以精确控制杂质的浓度和深度;扩散法则是将硅片置于含有硼杂质的气体环境中,在高温下使杂质扩散到硅片中。制造N型半导体则使用磷等五价元素进行类似的掺杂操作。在形成P型和N型半导体之后,就是PN结的制造。这通常通过光刻和蚀刻等工艺来实现。光刻工艺就像在硅片上进行精确的绘画,利用光刻胶和紫外线曝光等技术,在硅片上定义出需要形成PN结的区域。然后通过蚀刻工艺,去除不需要的半导体材料,精确地形成PN结。这个过程需要极高的精度,因为PN结的质量直接影响二极管的性能,如正向导通特性和反向截止特性。
PIN 二极管由 P 型半导体、本征半导体(I 层)和 N 型半导体组成,其 I 层较厚。这种特殊结构使 PIN 二极管在正向偏置时,呈现低电阻状态,类似于导通的开关;在反向偏置时,呈现高电阻状态,类似于断开的开关。在射频(RF)电路中,PIN 二极管常被用作射频开关。例如在手机的天线切换电路中,通过控制 PIN 二极管的导通和截止,实现不同频段天线的切换,使手机能够在不同通信环境下稳定接收和发送信号。在射频功率放大器的电路中,PIN 二极管也可用于功率控制和信号切换,确保射频电路在不同工作状态下的高效运行,是实现射频信号灵活处理和控制的关键器件。二极管的小型化和集成化是电子元件发展的重要趋势。
二极管在使用过程中可能出现多种失效模式,常见的包括开路、短路、性能退化等。正向电流过大或反向电压超过额定值,会导致二极管过热烧毁,出现开路故障;PN 结击穿后若电流不受限制,可能造成长久性短路。此外,长期工作在高温、高湿度环境下,二极管的性能会逐渐退化,如正向压降增大、反向漏电流增加。故障诊断时,可使用万用表的二极管档测量其正向压降和反向电阻,正常情况下,正向压降应在规定范围内,反向电阻趋于无穷大;对于复杂电路中的二极管,可通过示波器观察其电压、电流波形,判断是否存在异常。预防二极管失效需在电路设计阶段合理选型,确保工作条件在器件额定范围内,并采取适当的散热、防护措施,延长二极管的使用寿命,保障电路稳定运行。整流二极管凭借单向导电特性,可将交流电转换为直流电,为电源适配器提供稳定的直流输出。PESD2IVN-UX 超小型管
在某些特殊应用中,二极管还可以作为光电器件使用。PEMD20全系列二三极管原厂直供
肖特基二极管是一种基于金属 - 半导体结的二极管,与普通 PN 结二极管相比,具有正向压降小(约 0.3 - 0.5V)、反向恢复时间极短(几乎为零)、开关速度快等明显优势。这些特性使其在高频电路中表现出色,如在开关电源的同步整流电路中,肖特基二极管可降低导通损耗,提高电源转换效率;在高频逆变器、DC - DC 转换器中,快速的开关特性减少了电路的能量损耗和电磁干扰。此外,肖特基二极管的低正向压降也适用于低压大电流的应用场景,如锂电池保护电路。但肖特基二极管的反向耐压一般较低,通常在 100V 以下,在选型时需根据电路的实际需求,权衡其性能优势与耐压限制,充分发挥其在高频、低压电路中的作用。PEMD20全系列二三极管原厂直供