【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】2023年9月15日，全球功率系统和物联网领域的半导体***英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）管理委员会经监事会批准，决定通过证券交易所回购多达700万股**（ISINDE），回购总价（不含附带成本）高达3亿欧元。此次回购由一家*****机构**英飞凌通过法兰克福证券交易所的Xetra交易进行，定于2024年2月26日开始，并在2024年3月28日前（含当日）完成。回购的目的是根据现行的员工持股计划，向公司或关联公司员工、公司管理委员会成员以及关联公司管理委员会和董事会成员发放**。此次回购根据2023年2月16日年度股东大会的授权进行，并将根据欧盟第596/2014号条例第5条以及2016年3月8日欧盟委员会第2016/1052号授权条例的规定（欧盟第2016/1052号授权条例）执行。该授权条例补充了欧盟第596/2014号条例（回购计划和稳定措施适用条件的监管技术标准）。更多详情，请参阅根据欧盟第596/2014号条例第5（1））条和欧盟第2016/1052号授权条例第2（1）条发布的公告。该公告也发布于英飞凌网站。回购计划中的所有交易都将根据欧盟第2016/1052号授权条例的要求予以公布。英飞凌将在其网站定期更新**回购的进展情况。 英飞凌infineon一级分销商，商品批发价格。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飞凌

    英飞凌通过不断的技术创新和产品研发，持续推出满足市场需求的高性能半导体产品。积极拓展业务领域，加强在汽车电子、工业功率器件、芯片卡和安全应用等领域的市场份额。还通过战略收购，如 2019 年收购美国赛普拉斯公司，进一步扩大了自己的业务范围和市场份额，增强了公司在全球半导体市场的竞争力。英飞凌的技术创新和产品应用推动了整个半导体行业的发展。其 300mm 氮化镓功率半导体晶圆技术的推出，为 gan 功率半导体市场的发展提供了强大的动力，促进了 gan 在工业、汽车、消费、计算和通信等领域的广泛应用。超薄硅功率晶圆技术的突破，也为半导体制造技术的发展提供了新的思路和方向，带领了行业的技术进步。 LQFP64TLD5095ELXUMA1INFINEON英飞凌INFINEON英飞凌时钟和计时器IC、驱动器IC运用范围。

    5G 乃至未来 6G 通信的蓬勃发展，离不开英飞凌半导体的支撑。在基站端，其射频（RF）芯片负责信号的发射与接收，高线性度、低噪声特性确保信号传输清晰、稳定，即便在复杂电磁环境下也能满足海量用户同时接入需求。手机等终端设备中，英飞凌芯片同样关键，既保障 5G 高速数据传输，又兼顾低功耗续航要求。同时，在物联网通信模块里，它让智能穿戴设备、智能家居传感器等低功耗广域网（LPWAN）设备实现远程、可靠连接，为万物互联筑牢根基，幕后推动通信变革。

    集成电路设计是一门综合性的艺术与科学。在设计过程中，首先要考虑的是功能需求，根据芯片的应用场景确定其需要具备的各种功能模块，如处理器、存储单元、接口电路等，并进行合理的架构设计，以优化芯片的性能和功耗。电路设计则需要精心规划各个晶体管之间的连接和信号传输路径，确保信号的完整性和准确性。同时，为了提高芯片的可靠性，需要进行大量的冗余设计和容错机制的构建。在创新理念方面，随着人工智能、物联网等新兴技术的兴起，集成电路设计开始注重针对特定应用的优化，如专门为人工智能算法设计的加速芯片（AI 芯片），采用特殊的架构和计算单元，能够大幅提高人工智能任务的处理效率。此外，异构集成设计理念也逐渐流行，将不同功能、不同工艺制造的芯片集成在一起，实现优势互补，满足复杂系统的需求。infineon/英飞凌处理器专门应用TLE75008-ESD。

    集成电路的出现堪称电子技术领域的一次伟大变革。20 世纪 50 年代末，杰克?基尔比和罗伯特?诺伊斯等先驱者的智慧结晶，开启了集成电路的新纪元。早期的集成电路只包含少量的晶体管和简单电路元件，功能相对单一。然而，随着半导体制造技术的不断演进，光刻精度逐步提高，芯片上能够集成的晶体管数量呈指数级增长。从一开始的几十上百个，到如今高级芯片集成数十亿甚至上百亿个晶体管。这一发展历程不只见证了科技的飞速进步，更为现代电子设备的微型化、高性能化奠定了坚实基础。如今，集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子等各个领域，成为推动全球数字化进程的重要力量，每一次技术突破都在重塑着我们的生活方式和经济格局。INFINEON英飞凌均衡器芯片组集成电路。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飞凌

infineon/英飞凌CPLD复杂可编程逻辑器件TLE4921-5U。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飞凌

    集成电路制造是一个高度复杂且精密的过程，面临着诸多技术挑战。首先，光刻技术是制造过程中的关键环节，它需要将设计好的电路图案精确地转移到硅片上，随着芯片集成度的提高，对光刻分辨率的要求越来越高，目前已进入极紫外光刻（EUV）时代，但仍面临着设备昂贵、技术难度大等问题。其次，芯片制造过程中的材料纯度要求极高，哪怕是极其微小的杂质都可能影响芯片的性能和可靠性。此外，在晶体管制造过程中，如鳍式场效应晶体管（FinFET）等新型晶体管结构的制备，需要精确控制工艺参数，以实现良好的电学性能和稳定性。集成电路制造还需要解决芯片散热问题，随着芯片功率密度的不断增加，如何有效地将热量散发出去，防止芯片过热导致性能下降甚至损坏，是亟待攻克的难题。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飞凌