晶体二极管分类如下：平面型二极管，在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。二极管具有快速开关速度的优势，适用于高频应用。江门整流二极管现货直发

二极管是否损坏如何判断：单负导电性能的检测及好坏的判断，通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右，反向电阻值为（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。江门整流二极管现货直发二极管有正向导通和反向截止的特性，用于整流、限流、保护和变频等电路中。

工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

瞬态抑制二极管(TVS管)，瞬态电压抑制二极管英文名称为Transient Voltage Suppressor，简称TVS，它是一种高效保护器件的一种二极管。当瞬态电压抑制二极的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元 器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。普遍应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表电路中。瞬态电压抑制二极管有单向和双向两种，单向的引脚有正负极方向性，使用方法和稳压管相同，正极接入低电位，负极接入高电位，反向接入电路中。二极管的主要作用之一是整流，将交流电转换为直流电。

半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：1、较大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。整流二极管用于将交流电信号转换为直流电信号，常用于电源和电视机等设备中。江门发光二极管价位

二极管具有快速开关特性，适用于高频电路。江门整流二极管现货直发

稳压二极管和普通二极管应用场景区别，由于稳压二极管具有稳定的电压支撑作用，因此它主要应用于需要高精度控制电压的电路中。例如，在通信设备中，稳压二极管可以确保电路中的电压稳定，从而保证通信质量；在电源设备中，稳压二极管可以稳定输出电压，保护电子设备免受电压波动的影响；在工业自动化设备中，稳压二极管可以确保设备的稳定运行，提高生产效率。而普通二极管则普遍应用于各种开关电路和整流电路中。例如，在电源电路中，普通二极管可以作为整流器使用，将交流电转换为直流电；在数字电路中，普通二极管可以作为开关元件使用，控制电流的通断；在照明电路中，普通二极管可以作为LED灯的驱动元件，实现节能降耗。江门整流二极管现货直发