晶体三极管的种类：硅管和锗管（按半导体材料分），锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。三极管使用寿命受温度、工作状态和频率等因素影响，需谨慎使用和保养。佛山达林顿三极管行价

按照用途可以分为四种 ：普通功率型晶体管 高频大功率晶体管 超高频大功率晶体管 特种功率型晶体管 按制造工艺分为六种：双扩散硅双基型 （bjt） 双扩散铝双基型 （btjt） 单向晶闸管 （smcntctbtct等 ） 多晶闸管及门阵列式 （pmicmosfet等 ） 其他种类 根据不同的应用场合和要求可以制作出各种不同结构和功能的特殊二极管和三极管。应用领域 主要应用于整流器、稳压电源、振荡器等电路 [11] . 工作原理 当外加正向电压时（即给三极管输入一个信号电压），通过控制三端子的电流大小来改变输出信号的大小。中山半导体三极管工作原理三极管的价格相对较低，且易于采购，使得三极管在电子制造领域具有普遍的应用前景。

搭建如下电路，使集电结反偏，发射结正偏。反向偏置的集电结在外部电场的帮助下变宽，同时正向偏置的发射结，由于内部电场被削弱，自由电子扩散运动增强，发射区内部的大量自由电子扩散到了基区，被集电结的内部电场捕获，被电场加速送到了集电结，集电区内部的自由电子被反向偏置电压吸出，产生大量空穴，这些空穴收集发射过来的电子，从而形成集电极电流Ic。发射区注入基区的电子只有极少的被基极偏置电压吸出，形成基极电流Ib。Ic=βIb，β叫做放大倍数，这放大倍数是和制作工艺相关的，同一批制作出来的三极管也不一定相同，但是每个三极管的放大倍数可以认为是不会变的，也就是说只要控制了基极电流Ib，就能控制集电极电流Ic。

下面介绍的是三极管工作原理，一起来看看吧。三极管有哪三极？1、NPN型三极管的三极：NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。有一个箭头的电极是发射极e，箭头朝外的是NPN型三极管。箭头方向也表示着发射极电流Ie的实际方向。2、PNP型三极管的三极：同样PNP型三极管，由三块半导体构成，由两块P型和一块N型半导体组成，N型半导体在中间，两块P型半导体在两侧。一样有一个箭头的电极是发射极e，而箭头朝内的是NPN型三极管。在设计电路时，合理利用三极管的特性，能够实现信号的整形、滤波等复杂功能。

可能朋友们都有一个疑惑，集电结反向偏置了应该截止，怎么导通了？击穿了？这还要从二极管原理说起，上一篇介绍了二极管原理的文章提到了，当给PN结施加反向偏置电压的时候，内部电场强度增强，空间电荷区变宽，空间电荷区的自由电子被电场加速，穿过PN结形成反向饱和电流。当然这些自由电子属于少子，形成的反向电流也很小。如果人为把自由电子注入空间电荷区，这些电子同样被电场加速形成反向电流。因此只需要控制注入的电子数量就能够实现对电流的控制。三极管生产的每一个环节，南科功率都严格把控，确保品质；中山半导体三极管工作原理

为什么越来越多的企业选择南科功率作为三极管生产伙伴？佛山达林顿三极管行价

三极管具有三个工作状态，分别为：截止区、放大区、饱和区。在模拟电路中可以用这些特性实现不一样的功能，在数字电路中，只有0和1两个状态，所以数字电路中三极管主要用作电子开关来使用，这时候三极管工作在截止和饱和状态，即要么导通，要么断开，就相当于一个开关。三极管的原理，三极管的工作原理相对比较复杂，这里不做详细讲解，用一个图来意会一下，记住这张图你就会能知道的是怎么工作的了，详细知识可以参考专业资料做进一步了解，有不懂的可以留言或与小编交流。佛山达林顿三极管行价