在电子工程领域，二极管作为基础的电子元件，其种类繁多，功能各异。其中，稳压二极管和普通二极管因其独特的特性和应用场景而备受关注。本文将详细比较稳压二极管与普通二极管的不同之处，以便读者更好地理解和应用这两种元件。功能区别，稳压二极管，也被称为齐纳二极管，其主要功能是维持电路中的稳定电压值。它利用PN结反向击穿状态，在电流可在很大范围内变化时保持电压基本不变，从而实现稳压功能。这种特性使得稳压二极管在电路中起到了关键的稳定作用，为电子设备提供了可靠的电压支撑。相比之下，普通二极管则主要作为一个开关器件或整流器使用。在正向电压下，普通二极管导通，允许电流通过；而在反向电压下，则截止，阻止电流通过。这种单向导电性使得普通二极管在开关电路和整流电路中发挥着重要作用。二极管的导通特性与P-N结有关。中山变容二极管作用

在汞弧阀（具有冷阴极的汞蒸气离子阀）中，一种难熔的导电阳极与一池作为阴极的液态汞之间会形成电弧，电压单位可达数百千瓦，这对高压直流输电的发展起到了促进作用。一些小型的热离子整流器有时候也用汞蒸气填充，以减少他们的正向压降并增加这种热离子强真空器件的电流额定值。因此近年来，在音响发烧友和录音棚所用的音频设备中，应用真空二极管的老式音频设备有回潮的迹象，如家用音响系统甚至是吉他效果器。PIN二极管作为一种特种微波半导体元件，普遍应用于微波和射频电路的设计中，具有许多优良的特点，例如：开关速度快、可控功率大、损耗低、反向击穿电压高等。另外，PIN二极管无论被正向或者反向偏置均可得到类似于短路与开路。因而，PIN二极管已经成为各种电子设备中的重要组成部分。中山变容二极管作用在使用二极管时，需注意其正向电压和反向击穿电压的限制，以免损坏器件。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。二极管的种类非常多，常见的有以下几种，看看有没有你不认识呢？1．整流二极管，整流二极管英文名称为Rectifier diode，它是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件，是电子行业中应用较普遍的一种二极管，整流二极管1N系列的比较多，比如1N4001-1N4007。整流二极管有SMT和THT两种封装形式，SMT封装常见的有SMA、SMB、SMC和SOD123等。整流二极管的原理图和PCB库封装（SMA）。二极管在保护电路中扮演着重要角色，能有效防止电路过压或过流。

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED： 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。二极管在电源电路中作为整流器使用，可以将交流电转换为直流电。合肥单向导电二极管

二极管技术不断发展，涌现出多种类型和应用领域，为电子工程师提供更多选择。中山变容二极管作用

面接触式二极管。面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体（如本征硅）的一端成为一个包含负极性载流子（电子）的区域，称作N型半导体；另一端成为一个包含正极性载流子（空穴）的区域，称作P型半导体。两种材料在一起时，电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和空穴相互抵销，造成中间区域载流子不足，形成“耗尽层”。在耗尽层内部存在“内电场”：N型侧带正电，P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结，晶体允许电子（外部来看）从N型半导体一端，流向P型半导体一端，但是不能反向流动。中山变容二极管作用