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来源: 发布时间:2024-07-24

二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。均压电阻要取阻值比二极管反向电阻值小的电阻器,各个电阻器的阻值要相等。ESD二极管和TVS二极管都是电路保护器件,工作原理是一样的,但功率和封装是不一样的,ESD二极管主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1-3.5PF之间为较好;而TVS二极管就做不到这一点,TVS二极管的电容值比较高。静电放电二极管常用的是3个引脚的,ESD二极管的正负接在电源引脚,公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。二极管是电子电路中的基础元件,具有单向导电性,常用于整流、开关等电路中。中山激光二极管现货直发

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二极管反向区也分两个区域:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时,反向电流急剧增加,VBR称为反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪崩击穿;若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿,当在4 V~7 V之间两种击穿都有,有可能获得零温度系数点。led发光二极管市场价格二极管作为电子元器件的重要一员,其发展和应用推动了电子技术的进步。

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阶跃二极管,阶跃二极管一种特殊的变容管,又称为阶跃恢复二极管或电荷存储二极管,简称阶跃管,英文名称为Step-Recovary Diode,它具有高度非线性的电抗,应用于倍频器时代独有的特点,利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波,可获得高效率的高次倍频,它是微波领域中优良的倍频元件。旋转二极管,旋转二极管主要用于无刷励磁电机,它实际上就是一个整流二极管,在工作的时候跟着发动机一起旋转,所以被称为旋转二极管。旋转二极管的作用就是把励磁机的交流电压整流为直流电压,通过发动机的大轴,把这个直流电压加到发电机的励磁线圈上,然后通过励磁屏的调整来获得一个理想的励磁电流。

下面对二极管伏安特性曲线加以说明:正向特性,二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小(几乎为零),这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过较大值,否则将烧坏PN结。二极管是一种半导体器件,具有导通方向和截止方向的特性。

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续流,续流二极管通常是指反向并联在电感线圈,继电器,可控硅等储能元件两端,在 电路中电压或电流出现突变时,对电路中其它元件起保护作用的二极管.续流二极管由于在电路中起到续流的作用而得名,一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为续流二极管。以电感线圈为例,当线圈中有电流通过时,其两端会有感应电动势产生。当电流消失时,其感应电动势会对电路中的元件产生反向电压。当反向电压高于元件的反向击穿电压时,会把元件如三极管等烧坏。如果在线圈两端反向并联一个二极管(有时候会串接一个电阻),当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势就会通过二极管和线圈构成的回路消耗掉,从而保证电路中的其它元件的安全。二极管在电子行业中普遍应用,是现代电子设备不可或缺的组成部分。led发光二极管市场价格

通过合理配置二极管,可以优化电路的功耗和效率。中山激光二极管现货直发

发光二极管,施加正向偏置,可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管,当LED产生的光是带宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管,光线射入PN结,P区空穴、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管(Tunnel Diode)、江崎二极管(Esaki Diode)、透纳二极管,由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用,会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是较能耐受核辐射的半导体二极管。中山激光二极管现货直发

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