采用双电源供电，为M57962芯片搭建比较简单的外围电路后，正负驱动电压为+15V和-9V，可以使IGBT可靠通断。并且M57962内部集成了短路和过电流保护，内部保护电路监测IGBT的饱和压降来判断是否过流，当出现短路或过流时，M57962将***驱动信号实施对IGBT的关断，同时输出故障信号。如图为驱动芯片M57962的驱动效果，将输入的高电平为5V、低电平为0V的电压信号放大为高电平为15V，低电平为-9V的驱动信号。-9V的低电平确保了IGBT可靠关断。这就是电容器的工作原理。无锡功率分析仪电压传感器定制

对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。佛山内阻测试仪电压传感器电压传感器是一种用于计算和监测对象中电压量的传感器。

基于移相全桥的工作原理，变压器副边占空比的丢失是其固有的特性。副边占空比丢失是指变压器副边的占空比比原边的占空比小。不同于其他全桥的桥臂开关管的导通过程，移相全桥的对称桥臂上的开关管导通和关断过程始终是不同步的，并且在实际的调整输出的大小就是通过调整不同步的程度。只要存在不同步，则变压器副边输出电压就会在不同步的时段内变为零，从占空比的角度来说是变压器副边占空比的丢失，并且原边不同步的程度直接影响变压器副边占空比的丢失程度。

电力电子装置中很多元件，特别是半导体器件，对电压电流非常敏感，正确的设置保护电路对电源变换装置的安全运行至关重要。这里所讲的保护主要是针对电源变换装置里的器件，需要保护的状态主要包括过电压和过电流。具体产生过电压和过电流状态的原因有电路故障和电路工作原理所致。单臂直通保护：对于全桥变换器逆变电路本身来说，**容易出现也是危险比较大的故障便是单臂直通。因为当出现单臂直通时相当于输入侧直流电源正负极短路，直接损坏开关管。然而，比较好只放大由于传感器电阻变化引起的电压变化。

移相全桥变换器在工作时，通过与开关管并联的谐振电容和原边谐振电感谐振，来实现开关管的软开关。主电路拓扑结构如图2-4所示。图中T1和T2为超前臂开关管，T3和T4为滞后臂开关管；C1和C2分别为T1和T2的并联谐振电容，且C1=C2=Clead；C3和C4分别为T3和T4的并联谐振电容，且C3=C4=Clag；D1~D4分别为T1~T4的反并联二极管；Lr为原边谐振电感；TM为高频变压器；DR1~DR4为输出整流二极管；Lf、L、Ca和Cb分别为输出滤波电感和滤波电容；Z为输出负载。它可以测量交流电平和/或直流电压电平。天津循环测试电压传感器单价

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本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。无锡功率分析仪电压传感器定制