PWM波可以由DSP芯片内部的事件管理器EVA或EVB产生，在DSP内部，事件管理器EVA和EVB是完全相同的两个模块。它们都有3个比较单元，每一个比较单元都可以产生一对互补的PWM波，一共可以提供6路PWM波。在此选用其中的4路来驱动逆变桥上的开关管。4路PWM波中选用一路作为基准，将比较寄存器设置为增减模式，在下溢中断和周期中断的时候分别重置比较寄存器的值，并且所重置的这两个数值之和为比较寄存器的周期值。设置好PWM波输出的其他必须配置就可以产生一对互补的PWM波作为超前桥臂上的驱动。下面主要问题是如何产生另一对具有相位差的互补的PWM波。基于对DSP的研究，在此采用全比较单元的直接移相脉冲生产方法。通常，在串联电路中，高阻抗的元件上会产生高电压。宁波高精度电压传感器生产厂家

对于前端储能电容还需要考虑的参数是其耐压值，直流母线上电压峰值为373v，留一定裕量，可以选择耐压值为500v的电解电容作为储能电容。在电力电子变换和控制电路中，都是以各种电力半导体器件为基础的。我们在设计电路时，也有很多可供选择的电力半导体器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每种元件都有其自身特点以及**适合应用场合。例如MOSFET开关频率高，动态响应速度快，但其电流容量相对小，耐压能力低，适用于低功率、高频的场合[13][14]。门级可关断晶闸管具有自关断能力、电流容量大、耐压能力好，适用于大功率逆变场合。IGBT的性能相对来说是介于两者之间，有较高的工作频率（20K以上），有较大的电流容量和较好的耐压能力。在本实验中，装置的功率在10kW以下，频率在20K以下可以满足要求，故而综合考虑选用全控、压控型器件IGBT作为开关管。宁波高精度电压传感器生产厂家差和高的耐压值，另外，高压侧与低压侧没有隔离，存在安全隐患；

储能电容的计算：1）根据工程经验估算：根据工程实践经验，装置的功率与前端储能电容有对应的关系。整个装置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦对应储能电容容量1μF，则可选用电容至少1200μF。2）根据能量关系式计算：储能电容为后续的DC/DC变换提供直流电压，其本身的电压波动反应在电容上可以认为是电容器电能的补充和释放过程。要保持电容器端电压不变，每个周期中储能电容器对电路提供的能量和其本身充电所得的能量相等。储能电容在整流桥输出端，同时也须承担滤波的任务。为了保证对整个装置提供足够的能量，我们所选用的储能电容最小值为1200UF。

本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。其原理与变压器类似，实现了对原边电压的隔离测量。

为移相全桥逆变部分的 Simulink 仿真电路。负载等效至原边用等值电阻代替，仿真主要调节谐振电容和谐振电感的参数，以满足所有开关管的零开通和软关断。依次为开关管驱动波形、桥臂上电压波形和桥臂上电流波形。其中驱动波形中从低到高分别为开关管1、2、3、4的驱动波形（四个驱动的幅值有差别只为了便于分辨，实际驱动效果是相同的）。同一桥臂上两开关管驱动有4μS的死区时间，滞后桥臂相对于超前桥臂的滞后时间为12.5μS。桥臂上是串联的3a电阻和100μH电感，如果不存在移相，则桥臂上的电压应该是*有死区时间是0。由于移相角的存在，电压占空比进一步减小，减小的程度对应是移相角的大小。传感器的输出电压可以表示为这种电路的缺点是。宁波高精度电压传感器生产厂家

其大致原理是原边电压通过外置或内置电阻。宁波高精度电压传感器生产厂家

磁现象是物理界中**为基本的现象之一，人们发现，在磁场中，原子、分子的电子态能量和磁矩都发生了变化，于是在科学研究中，很多的实验都将磁场环境作为实验的研究背景，磁场也成为了许多科学研究的基本工具。在以强磁场为实验环境的研究领域，人们已经取得了众多重大的科研成果，强磁场在现代科学研究中占有越来越重要的位置。作为一种极端的科学研究条件，强磁场在高温超导体、材料学、原子分子研究、化学以及生命科学等领域的研究都提供了极端的研究环境。除了科学研究领域，强磁场在工业工程领域也发挥着重要作用。因此对强磁场的研究无论是对于我们探索自然奥秘，还是促进人类文明进步都有极其重要的意义。宁波高精度电压传感器生产厂家