5)的运算结果的第1运算信号so1如式(5a)那样包含两个磁传感器11、12所产生的贡献(δs1+δs2)。另一方面，第2运算部32输入来自一个磁传感器11的传感器信号s1m和来自另一个磁传感器12的传感器信号s2p，并如下式(6)那样对传感器信号s1m、s2p间的减法进行运算。so2＝a2×(s1m-s2p)…(6)＝-a2×(δs1+δs2)/2…(6a)在上式(6)中，a2是第2运算部32的增益，例如是1倍以上。上式(6)的运算结果的第2运算信号so2如式(6a)那样关于两个磁传感器11、12包含与第1运算信号so1同样的贡献(δs1+δs2)。第3运算部33基于来自第1运算部31的第1运算信号so1和来自第2运算部32的第2运算信号s02对下式(7)进行运算，生成作为基于电流传感器1的检测结果的输出信号sout。sout＝a3×(so1-so2)…(7)＝a3×(a1+a2)×(δs1+δs2)/2…(7a)在上式(7)中，a3是第3运算部33的增益，例如是1倍以上。如以上那样算出的电流传感器1的输出信号sout如式(7a)那样关于两个磁传感器11、12包含与各运算信号so1、so2同样的贡献(δs1+δs2)。在此，在输入到各磁传感器11、12的磁场中包含成为噪声的外部磁场的情况下，各磁传感器11、12的信号差δs1、δs2如下式(8)、(9)那样可能包含信号分量δsg和噪声分量δnz。新能源领域：在太阳能、风能等新能源领域。南通开环电流传感器询问报价

    对两个磁传感器11、12和第1～第3运算部31～33间的连接关系以及基于运算装置3的运算方法的一例进行了说明。本实施方式涉及的电流传感器不特别限定于此，也可以采用各种各样的连接关系以及运算方法。以下，关于电流传感器的变形例，利用图8～10进行说明。图8示出变形例1涉及的电流传感器1b的结构。本变形例的电流传感器1b在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中，变更了两个磁传感器11、12和第1以及第2运算部31、32间的连接关系。如图8所示，在本变形例的电流传感器1b中，第1运算部31在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2p的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1m的输出端子连接。此外，第2运算部32在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2m的输出端子连接，在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1p的输出端子连接。第1～第3运算部31～33基于所输入的信号，进行与实施方式1同样的运算。通过以上的电流传感器1b，也能够与实施方式1的电流传感器1同样地降低外部磁场的影响。在本变形例中，磁传感器12是第1磁传感器的一例，传感器信号s2p是第1传感器信号的一例，传感器信号s2m是第2传感器信号的一例。此外，磁传感器11是第2磁传感器的一例。北京化成分容电流传感器设计标准随着科学技术的不断进步，未来还将有更新的技术和产品出现。

    δs1＝δsg+δnz…(8)δs2＝δsg-δnz…(9)根据上式(7a)、(8)、(9)，在输出信号sout中，能够在两个磁传感器11、12的信号差δs1、δs2间消除外部磁场所引起的噪声分量δnz。2-2-1.关于外部磁场耐性在如以上那样的电流传感器1中，关于使输出信号sout不根据外部磁场而变动的外部磁场耐性，利用图6进行说明。图6是用于说明各种电流传感器中的外部磁场耐性的图。图6的(a)示出具备两个磁传感器11’、12’的典型的电流传感器1x的结构例。本例的电流传感器1x具备*与一个磁传感器11’连接的运算部31’、和*与另一个磁传感器12’连接的运算部32’。因此，各个运算部31’、32’*输入两个磁传感器11’、12’的一方的传感器信号并分别进行差动放大。在如上述那样的电流传感器1x中，对各磁传感器11’、12’的信号差δs1、δs2乘以不同的增益a1’、a2’来生成输出信号sout’。因此，在各个增益a1’、a2’产生偏差的情况下，各信号差δs1、δs2中包含的噪声分量δnz不被抵消，外部磁场耐性会下降。例如，可设想各个增益a1、a2根据各个运算部31’、32’间的温度偏差、制造偏差而产生偏差。相对于此，本实施方式涉及的电流传感器1通过将第1以及第2运算部31、32双方与各磁传感器11、12连接。

    两个磁传感器11、12之中的一个磁传感器11配置在与具有流过电流i的两个流路21、22的汇流条2中的第2流路22相比更靠近第1流路21的位置。另一个磁传感器12配置在与第1流路21相比更靠近第2流路22的位置。由此，在两个磁传感器11、12输入彼此反相的信号磁场b1、b2，能够使电流的检测时的s/n(信号-噪声)比良好。(实施方式2)在实施方式2中，关于具有根据温度来调整输出信号的功能的电流传感器，利用图7进行说明。图7是表示实施方式2涉及的电流传感器1a的结构的框图。在本实施方式涉及的电流传感器1a中，在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中(参照图2)，还具备温度检测部34、传感器调整部35和运算调整部36。上述各部34、35、36例如设置于电流传感器1a的运算装置3a。温度检测部34例如是半导体温度传感器，对周围的温度进行检测。温度检测部34的种类没有特别限定，例如，可以使用热敏电阻、热电偶、线性正温度系数电阻器、铂测温电阻体等。传感器调整部35例如包含磁传感器11、12的电源电压vdd等的调整电路。根据传感器调整部35，例如两个磁传感器11、12的磁电变换增益以及/或者偏移(或者中点电位)等被适当调整为在容许误差的范围内相同。20世纪70年代，随着微电子技术和计算机技术的快速发展。

    生成表示运算结果的输出信号sout。第3运算部33将输出信号sout作为电流传感器1对电流i的检测结果从输出端子输出。第3运算部33是本实施方式中的电流传感器1的输出部的一例。在本实施方式中，通过如以上那样的两个磁传感器11、12和第1～第3运算部31～33的连接关系，使得容易确保电流传感器1中的外部磁场耐性(详情后述)。此外，两个磁传感器11、12和运算装置3在如图2所示的电流传感器1中例如配置在同一封装件内。两个磁传感器11、12例如配置在一个集成芯片内。通过将两个磁传感器11、12在同一芯片内接近配置，从而能够提高外部磁场在空间上不均匀的情况下的外部磁场耐性。进而，在电流传感器1的周围温度存在梯度的情况下，能够抑制相对于磁传感器11、12间的温度的磁电变换增益偏差，能够提高外部磁场耐性。第1以及第2运算部31、32例如在电流传感器1内部在同一集成芯片内接近配置。由此，在电流传感器1的周围温度存在梯度的情况下，能够抑制相对于第1以及第2运算部31、32间的温度的增益偏差，能够提高外部磁场耐性。可设想在磁传感器11、12与运算装置3之间存在环形布线的情况下，交流的外部磁场发生交链而产生电动势，由此导致电流的检测误差。相对于此。在霍尔元件控制电流端输入被测电流。株洲磁通门电流传感器

因此可以精确地反映出被测电流的变化情况。南通开环电流传感器询问报价

    即使假设例如由于第1以及第2运算部31、32间的温度偏差等而各个增益a1、a2产生了偏差，也不对外部磁场耐性造成影响，由此能够提高电流的检测精度。此外，还能够缓和关于各运算部31、32的制造偏差的要求规格等，谋求电流传感器1的低成本化。3.总结如以上那样，本实施方式涉及的电流传感器1基于由检测对象的电流i产生的信号磁场b1、b2对电流i进行检测。电流传感器1具备第1磁传感器的一例的磁传感器11、第2磁传感器的一例的磁传感器12、第1运算部31、第2运算部32、和输出部的一例的第3运算部33。磁传感器11对磁场进行感测，生成第1传感器信号的一例的传感器信号s1p以及第2传感器信号的一例的传感器信号s1m。磁传感器12对与磁传感器11根据电流i而感测的信号磁场b1反相的磁场b2进行感测，生成第3传感器信号的一例的传感器信号s2m以及第4传感器信号的一例的传感器信号s2p。第1运算部31输入传感器信号slp以及传感器信号s2m，对所输入的各信号进行给定的运算来生成第1运算信号so1。第2运算部32输入传感器信号s1m以及传感器信号s2p，对所输入的各信号进行给定的运算来生成第2运算信号so2。第3运算部33部输入第1运算信号so1以及第2运算信号so2。南通开环电流传感器询问报价

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