有危险的厂房与周围建筑物、构筑物应保持一定的防火间距。如与民用建筑的防火间距不应小于25m，与重要公共建筑的防火间距不应小于50m，与明火或散发火花地点的防火间距不应小于30m。有危险的厂房平面布置比较好采用矩形，与主导风向垂直或夹角不小于45o，以有效利用穿堂风，将性气体吹散，在山区，宜布置在迎风山坡一面且通风良好的地方。防爆厂房宜单独设置。如必须与非防爆厂房贴邻时，只能一面贴邻，并在两者之间用防火墙或防爆墙隔开。相邻两厂房之间不应直接有门相通，以避免冲击波的影响。有危险的设备尽量避开厂房的梁、柱等承重结构。防爆厂房内的高大设备应布置在厂房中间，矮小设备应靠外墙门窗布置，以免挡风。有危险的厂房、库房，宜采用单层建筑。细胞洁净车间欢迎咨询成都博一医药设计有限公司。成都天然药物洁净工程设计

对甲、乙类生产厂房每层的洁净区总建筑面积不超过50m2，且同一时间内的生产人数不超过5人。2.对丙、丁、戊类生产厂房，应按现行国家标准《建筑设计防火规范》（GBJ16）的规定设置。3.安全出口应当分散布置，从生产地点至安全出口不应经过曲折的人员净化路线，并应设有明显的疏散标志，安全疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》（GBJ16）的规定。4.洁净区与非洁净区、洁净区与室外相通的安全疏散门应向疏散方向开启，并加闭门器。安全疏散门不应采用吊门、转门、侧拉门、卷帘门以及电控自动门。5.洁净厂房与洁净区同层外墙应设可供消防人员通往厂房洁净区的门窗，其洞口间距大于80m时，应在该段外墙的适当部位设置消防口。消防口的宽度应不小于750mm，高度应不小于1800mm，并应有明显标志。楼层的消防口应设置阳台，并从二层开始向上层架设钢梯。6.洁净厂房外墙上的吊门、电控自动门以及宽度小于750mm、高度小于1800mm或装有栅栏的窗，均不应作为火灾发生时提供消防人员进入厂房的入口。云南净化车间设计排行榜厂房设计中的人性化设计和工作流程优化有哪些策略？

洁净室（区）外窗设计应符合下列要求：1.当洁净室（区）和人员净化用室设置外窗时，应采用双层玻璃固定窗，并应有良好的气密性。2.靠洁净室室内一侧窗不宜设窗台。3.洁净室内的密闭门应朝空气洁净度较高的房间开启，并加设闭门器，无窗洁净室的密闭门上宜设观察窗。4.洁净室门窗、墙壁、顶棚等的设计应符合下列要求：5.洁净室门窗、墙壁、顶棚、地（楼）面的构造和施工缝隙，均应采取可靠的密闭措施。6.当采用轻质构造顶棚做技术夹层时，夹层内宜设检修通道。7.洁净室窗宜与内墙面齐平，不宜设窗台。8.洁净室内的色彩宜淡雅柔和。室内各表面材料的光反射系数:顶棚和墙面宜为0.6～0.8，地面宜为0.15～0.35。

防静电洁净室中由于静电引起的的事故屡有发生，因此洁净室的防静电能力如何已成为评价其质量的一个不可忽视的方面。所谓静电，是由于摩擦等原因破坏了物体中正(+)负（-）电荷等量的均匀的电中性状态，而使电荷过剩，物体呈带电状态，由于这些电荷平时是不流动的，故称静电。在洁净室内静电导致的事故有以下几方面；①静电电引起的静电电击，引起人的不安全和恐惧感，并可造成二次伤害(例如人因受电击而摔倒，由摔倒又致伤)；②静电放电引起的放电电流，可导致诸如半导体元件等破坏和误动作，例如将50块P-MOS电路放在塑料袋内，摇晃数次后，与非门栅极严重击穿者计39块，失效率竞达78%，这是因为半导体器件对静电放电十分灵敏；③静电放电产生的电磁波可导致电子仪器和装置的杂音和误动作；④静电放电的发光可导致照相肢片等感光破坏；洁净实验室设计联系成都博一医药设计有限公司。

安全防火制药工业厂房的安全防火要根据生产过程中使用、产生及存储的原料、中间品和成品的物理化学性质和数量及其火灾危险程度和生产过程的性质等情况来确定。对于化学合成原料药的生产厂房，其建筑物应采用一、二级耐火等级；对于原料药的结晶精制、干燥等工序以及制剂生产用洁净厂房，耐火等级要求不低于二级，建筑构配件耐火性能应与甲、乙类火灾危险等级相适宜。一般厂房安全出口不应少于2个；洁净厂房每一生产层或每一洁净区的安全出口数量，均不应少于2个，且应分散均匀布置；从生产地点至安全出口不得经过曲折的人员净化路线。厂房的地下室、半地下室的安全出口不应少于两个。地下室、半地下室如用防火墙隔成几个防火分区时，每个防火分区必须有一个直通室外的安全出口，并可利用防火墙上通向相邻分区的防火门作为第二安全出口。甲、乙、丙类厂房和高层厂房的疏散楼梯应采用封闭楼梯间，高度超过32m且每层人数超过10人的高层厂房宜采用防烟楼梯间或室外楼梯。洁净厂房同一层的外墙应设有通向洁净区的门窗或消防口，以方便消防人员的进入。细胞设计认准成都博一医药设计有限公司。功能食品净化工程设计

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洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产比较好湿度范围为35—45%。成都天然药物洁净工程设计