以碳化硅、氮化镓、铌酸锂为**的高性能半导体晶体广泛应用于信息传输、光存储、光通讯、微波、LED、汽车电子、航空航天、高速列车、智能电网和超高压输变电、石油勘探、雷达与通信等国民经济和军工领域。碳化硅单晶材料是目前发展最为成熟的第三代半导体材料，其禁带宽度是硅的3倍，饱和电子漂移速率是硅的2倍，临界击穿电场大于硅的10倍或砷化镓的5倍，热导率是蓝宝石的20倍或砷化镓的10倍，化学稳定性好，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域和航天军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。 碳化硅是发展第3代半导体产业的关键基础材料。杭州6寸半绝缘碳化硅衬底

碳化硅sic的光学性质  材料带隙即禁带的大小决定了器件的很多性质，包括光谱响应特性、抗辐射特性、工作温度以及击穿电压等许多器件的重要特性。SiC的禁带宽，如4H-SiC是3.2eV，6H-SiC是2.8eV，所以SiC具有良好的紫外光谱响应特性，对红外辐射不响应，抗辐射特性好，可应用于检测红热背景下的微弱紫外信号。而且其暗电流很低，工作温度高，故也可用于探测高温环境中的紫外信号。  SiC在很宽的光谱范围（2.2～3.2eV）内也有良好的发光特性。不过，SiC的光学特性与晶体取向及同质多型体的结构有很密切的关系。天津4寸n型碳化硅衬底6H-SiC结构最为稳定，适用于制造光电子器件。

    随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，SiC（碳化硅）将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。由于SiC相对于Si的一些独特性，对于SiC技术的研究，可以追溯到上世界70年代。简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势:击穿电压强度高（10倍于Si）更宽的能带隙（3倍于Si）热导率高（3倍于Si）这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。当然，这些特性也使得大规模生产面临一些障碍，直到2000年初单晶SiC晶片出现才开始逐步量产。目前标准的是4英寸晶片，但是接下来6英寸晶片也要诞生，这会导致成本有显着的下降。而相比之下，当今12英寸的Si晶片已经很普遍，如果预测没有问题的话，接下来4到5年的时间18英寸的Si晶片也会出现。

碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有***成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。根据数据显示，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术，以应用于具体且具有发展前景的项目。碳化硅作为新兴的战略先导产业，它是发展第3代半导体产业的关键基础材料。

碳化硅（SiC）半导体器件在航空、航天探测、核能开发、卫星、石油和地热钻井勘探、汽车发动机等高温（350～500oC）和抗辐射领域具有重要应用；          高频、高功率的碳化硅（SiC）器件在雷达、通信和广播电视领域具有重要的应用前景；（目前航天和军工下属的四家院所已有两家开始使用，订货1亿/年，另两家还在进行测试，在航天宇航碳化硅器件是不可取代的，可以抵御太空中强大的射线辐射及巨大的差，在核战或强电磁干扰作用的时候，碳化硅电子器件的耐受能力远远强于硅基器件，雷达、通信方面有重要作用碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体。山东6寸sic碳化硅衬底

碳化硅（指半绝缘型）是射频微波器件的理想衬底材料。杭州6寸半绝缘碳化硅衬底

随着我国经济社会迈入新时代，化工行业在增强供给、高端供给和高质量供给上持续发力，也将面临如何努力正确探索平稳健康运行和高质量发展的新机遇。世界各国对环境保护和绿色发展的重视程度日益提升，出台了很多环境方面的政策、法规，同时环境执法力度也在逐步提高，化工私营有限责任公司企业需要积极探索绿色低碳、安全环保的技术，加强与信息化技术融合，尽可能地发展环保型产品，实现清洁生产，并在节约能源和资源方面，采用工艺技术，降低原材料消耗；配备废水、废气、废固处理设备，极大限度地降低三废排放量，增加节水措施，提高水的重复利用率等。可以说，“绿色化工”已经成为行业发展潮流。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，抛光液领域市场前景好，发展成长性好，技术含量高，具有带领行业发展的作用。是发展战略性新兴产业的重要基础，也是传统石化和化工产业转型升级和发展的重要方向。通过贸易型的优化和升级，化工行业已经从初期的以“三废治理”为主，发展为包括环保产品、环境服务、洁净产品、废物循环利用，跨行业、跨地区，产业门类基本齐全的产业体系。杭州6寸半绝缘碳化硅衬底

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