化学机械抛光编辑 语音这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。本公司的纳米抛光液适合手机外壳抛光，汽车表面抛光，高级不锈钢外壳抛光。物理抛光液介绍

蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用：1.外延片生产前衬底的双面研磨：多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道，根据**终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。2.LED芯片背面减薄为解决蓝宝石的散热问题，需要将蓝宝石衬底的厚度减薄，从450nm左右减至100nm左右。主要有两步：先在横向减薄机上，用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度；再用抛光机（秀和、NTS、WEC等）针对不同的研磨盘（锡/铜盘），采用合适的蓝宝石研磨液（水/油性）对芯片背面抛光，从150nm减至100nm左右。杭州抛光液价格本公司销售的氧化硅抛光液纳米颗粒呈球形，单分散，大小均匀，粒径分布窄，可获得高质量的抛光精度。

氧化铝又称为刚玉，在摩氏硬度表中位列第9级，具有很大的硬度。又因有六角柱体的晶格结构，十分适合再研磨材料。且相对比钻石更低廉的价钱。所以氧化铝它成为研磨和抛光的好材料。氧化铝抛光液的特点氧化铝抛光液具有硬度高、磨削力强、适用范围广等优点。模氏硬度可达5500-8000kg/mm2。不易产生划痕，粒度分布范围窄，研磨后材料表面质量好，粒径有1.0CR、0.3CR、0.1CR、0.05CR几种可供选择。氧化铝抛光液的应用1、电子行业：电子行业单晶硅片的研磨以及PCB金相切片的研磨；2、装饰行业：不锈钢餐具及其它装饰材料的抛光；3、喷涂材料：等离子喷涂；4、光学玻璃冷加工。

    研磨抛光液是不同于固结磨具，涂附磨具的另一类"磨具",磨料在分散剂中均匀、游离分布。研磨抛光液可分为研磨液和抛光液。普通研磨液用于粗磨，抛光液用于精密磨削。抛光液通常用于研磨液的下道工序，行业中也把抛光液称为研磨液或把研磨液称为抛光液的。分类编辑研磨液按其作用机理分：机械作用研磨液，化学机械作用研磨液。机械作用的研磨液：以金刚石、B4C等为磨料，经过添加分散剂等方式分散到液体介质中，从而构成具有磨削作用的液体，称为金刚石研磨液、碳化硼研磨液等。磨料在分散液中游离分布，应用磨料硬度比待磨工件硬度大的原理，完成工件的研磨、减薄。根据磨料的表面、颗粒大小及研磨液配置、研磨设备稳定性等情况，研磨完成后，工件表面容易留下或大或小的划痕。所以，机械作用的研磨液普通用于粗磨，后续还需求精密研磨抛光。化学机械作用研磨液：化学机械作用研磨液应用了磨损中的"软磨硬"原理，即用较软的材料来中止抛光以完成高质量的抛光表面，是机械削磨和化学腐蚀的组合技术。 多晶金刚石 抛光液有良好的韧性，在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产 生划伤。

纳米抛光液应用范围：1、透明陶瓷：高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。2、化妆品填料。3、单晶、红宝石、蓝宝石、白宝石、钇铝石榴石。4、**度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、***、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管。5、精密抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带。6、涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、高级耐水材料。7、气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料。8、催化剂、催化载体、分析试剂。9、汽车表面漆层、宇航飞机机翼前缘。本公司销售的氧化硅抛光液分散性好、不结晶?。广东进口抛光液价格

本公司销售的氧化铝抛光液颗粒粒径分布适中，很大程度提升抛光速率的同时降低微划伤的概率。物理抛光液介绍

    目前LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。CMP技术还的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是目前的可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。 物理抛光液介绍