氧化铈抛光液。二氧化铈是玻璃抛光的通用磨削材料。随着工件尺寸的缩小，传统的硅容易在尺寸较大的集成电路STI（浅沟隔离）处形成蝶形缺陷。而针对STI的抛光，选择合适的抛光液是关键，采用氧化铈作为研磨颗粒的第二代抛光液，具有高选择性和抛光终点自动停止的特性，配合粗抛和精抛，能抛光液中二氧化铈的粒度是影响抛光效果的关键参数之一。目前制备出的二氧化铈的粒径多为微米级或亚微米级，粒度分布不均，粒径大的溶液产生划痕，严重影响到被抛光工件的抛光质量。因此，纳米级二氧化铈的制备及应用是目前研究的热点之一。够十分有效解决代STI工艺缺点，是目前重点发展的产品类型之一。本公司销售的纳米抛光液应用范围：透明陶瓷：高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。上海研磨抛光用抛光液用途

    据报道，早在新石器时期出土的器件中就有磨光的痕迹。大量出土的秦俑实际制作时已采用了机械磨亮的抛光技术。西汉时期的青铜镜镜面加工技术更是负有盛名，在《淮南子》中有对应的描述。以上所有这些表面整平、抛光都是先用简单的具有一定粗糙度的工具与被整平物体相互摩擦达到整平的目的，然后用较细的砂粒或柔软具有韧性的纤维物配以磨料摩擦进一步达到光亮（抛光）的目的。如宋代已有用氧化铁作为磨料的抛光技术，这种技术要比国外早数百年。这就是早使用的表面抛光技术，也是至今仍在使用的机械抛光技术的原型。随后随着人类社会的进步和科学水平的提高，人们发现将研磨材料做成圆盘形平板或将研磨材料的粒子装在圆盘或带子上使其运转，并将被整平工件的抛光表面放在上面可以得到不同程度的平整和光亮度，而且可以节省人力、提高效率。发展到，这种方法演变成为现代的各种形式的机械抛光技术。 上海研磨抛光用抛光液用途氧化铝抛光液朴实机械抛光可使样品外表平整，但是却无法确保铜不发生，因而适合涂层丈量和边界层分析。

化学机械抛光编辑 语音这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

陶瓷抛光液1.本产品不含重金属、不含有毒有害物质，对环境友好；2.本产品主要由其金刚石微粉、分散稳定剂、悬浮剂、ｐＨ值调节剂、防腐剂、有机溶剂和去离子水组成，3.具有适用性强，产品分散性好，粒度均匀、规格齐全、品质稳定等特点。产品概述本产品是专门针对陶瓷的一款高效研磨液，能快速去除表面缺陷，具有一定的润滑、冷却作用，易于研磨后的清洗，悬浮性能好，金属离子螯合能力强。主要成分：金刚石/硅溶胶应用领域：广泛应用于各类陶瓷制品（氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅陶瓷件、碳化硅陶瓷件、石墨陶瓷件、氮化硼陶瓷等）工件的研磨，具有良好的研磨效果。产品特点：1.本产品不含重金属、不含有毒有害物质、对环境友好。2.本产品主要由其金刚石微粉、分散稳定剂、悬浮剂、ｐＨ值调节剂、防腐剂、有机溶剂和去离子水组成。3.具有适用性强、产品分散性好、粒度均匀、规格齐全、品质稳定等特点。本公司销售的氧化铝抛光液颗粒分散均匀，不团聚，有效避免抛光过程中由于颗粒团聚导致的工件表面划伤缺点。

研磨液按其作用机理分：机械作用研磨液，化学机械作用研磨液。机械作用的研磨液：以金刚石、B4C等为磨料，通过添加分散剂等方式分散到液体介质中，从而形成具有磨削作用的液体，称为金刚石研磨液、碳化硼研磨液等。磨料在分散液中游离分布，利用磨料硬度比待磨工件硬度大的原理，实现工件的研磨、减薄。根据磨料的表面、颗粒大小及研磨液配置、研磨设备稳定性等情况，研磨完成后，工件表面容易留下或大或小的划痕。所以，机械作用的研磨液一般用于粗磨，后续还需要精密研磨抛光。本公司销售的氧化硅抛光液分散性好、不结晶?。深圳物理抛光液介绍

多晶金刚石抛光液用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。上海研磨抛光用抛光液用途

    LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用“软磨硬”的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。CMP技术还的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。 上海研磨抛光用抛光液用途

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