(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟?在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位?下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减?InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商?医疗专业人员借助红外热像仪进行体温筛查，有效防控疾病传播。原装进口红外热像仪使用方法

美国**高空区域防御系统(Theatre High Altitude Area Defense, THAAD)即萨德系统,其拦截导弹的IR导引头就采用了RVS生产的AE194 InSb FPA探测器?RVS生产的小型InSb FPA探测器还大量地应用到了美国第四代空-空导弹的制导系统中?由美国SBRC(Santa Barbara Research Center)主持?美国国家光学天文台(National Optical Astronomy Observatories, NOAO)和美国海军天文台(U.S.Naval Observatory, USNO)协同参与的ALADDIN(advanced large area detector development in lnSb)计划,其研制的1024x1024像元规模的InSb FPA探测器应用到了天文观测中。作为ALADDIN的升级产品,ORION将InSb FPA的像元规模提升至2Kx2K,该计划在RVS?NOAO和USNO的共同努力下也已经顺利完成,其红外热像仪产品在美国天文事业的发展中发挥着重要作用?OPTPI400红外热像仪厂家现货红外热像仪主要用于测试DEW 仪器和分析目标影响。

截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料?与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段?HgCdTe探测器在NIR?MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主?然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位?

红外热像仪是一种利用红外辐射进行非接触式温度测量的设备。其工作原理基于物体发出的红外辐射能量与其表面温度之间的密切关系。红外热像仪通过接收物体发出的红外辐射，经过光电转换、信号处理等步骤，将红外辐射能量分布转换为可视化的热图像。红外热像仪的种类繁多，可以根据不同的应用场景和需求进行分类。例如，有的红外热像仪适用于工业领域，用于监测设备的运行状态和温度分布；有的则适用于医疗领域，用于辅助医生进行疾病诊断；还有的适用于安防领域，用于夜间监控和隐蔽目标的探测。本文将详细介绍如何选购红外热像仪。

红外热像仪的工作距离是有限制的。红外热像仪的工作距离取决于其焦距和像素分辨率。一般来说，红外热像仪的工作距离在几米到几十米之间。在工作距离范围内，红外热像仪可以提供较为准确的温度测量结果。然而，当距离目标过远或过近时，红外热像仪的测量精度可能会受到影响。如果距离目标过远，红外热像仪可能无法准确地捕捉到目标的细节和温度变化，从而导致测量误差增加。此外，目标与红外热像仪之间的距离过远还可能导致环境因素的影响增加，如大气散射和辐射能量的衰减。另一方面，如果距离目标过近，红外热像仪的视场角可能会变得较小，无法覆盖目标的整个区域，从而导致测量结果不准确。直到红外热像仪可以接入智能手机，并通过APP与互联网相连，才刷新了人们对这个专业仪器的纯工具印象。OPTPI400红外热像仪厂家现货

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