Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计，写入区域达155×155 mm，平台双向重复性精度0.1 μm，满足工业级需求。其搭载20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头，支持实时观测与多层对准。配套的BEAM Xplorer软件简化了复杂图案设计流程，内置高性能笔记本电脑实现快速数据处理，成为微机电系统（MEMS）和光子晶体研究的理想工具。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。高频元件验证：成功开发射频器件与IDC电容器，加速国产芯片产业链突破。四川桌面无掩模光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸

某生物物理实验室利用 Polos 光刻机开发了基于压阻效应的细胞力传感器。其激光直写技术在硅基底上制造出 5μm 厚的悬臂梁结构，传感器的力分辨率达 10pN，较传统 AFM 提升 10 倍。通过在悬臂梁表面刻制 100nm 的微柱阵列，实现了单个心肌细胞收缩力的实时监测，力信号信噪比提升 60%。该传感器被用于心脏纤维化机制研究，成功捕捉到心肌细胞在病理状态下的力学变化，相关数据为心肌修复药物开发提供了关键依据。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。广东德国PSP-POLOS光刻机分辨率1.5微米用户案例broad：全球超500家科研机构采用，覆盖高校、研究所与企业实验室。

某集成电路实验室利用 Polos 光刻机开发了基于相变材料的存算一体芯片。其激光直写技术在二氧化硅基底上实现了 100nm 间距的电极阵列，器件的读写速度达 10ns，较传统 SRAM 提升 100 倍。通过在电极间集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相变材料，芯片实现了计算与存储的原位融合，能效比达 1TOPS/W，较传统冯?诺依曼架构提升 1000 倍。该技术被用于边缘计算设备，使图像识别延迟从 50ms 缩短至 5ms，相关芯片已进入小批量试产阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

在tumor转移机制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻机构建了仿生tumor微环境芯片。通过无掩模激光光刻技术，在 PDMS 基底上制造出三维tumor血管网络与间质纤维化结构，其中血管直径可精确控制在 10-50μm。实验显示，该芯片模拟的tumor微环境中，tumor细胞迁移速度较传统二维培养提升 2.3 倍，且化疗药物渗透效率降低 40%，与临床数据高度吻合。该团队通过软件实时调整通道曲率和细胞外基质密度，成功复现了tumor细胞上皮 - 间质转化（EMT）过程，相关成果发表于《Cancer Research》，并被用于新型抗转移药物的筛选平台开发。Polos-μPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品，推动无掩模光刻技术普及。

无掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用无掩模激光直写技术，用户可通过软件直接输入任意图案，省去传统光刻中掩膜制备的高昂成本与时间。其405 nm紫外光源和亚微米分辨率（most小线宽0.8 μm）支持5英寸晶圆的高精度加工，特别适合实验室快速原型开发。闭环自动对焦系统（1秒完成）和半自动多层对准功能，remarkable提升微流体芯片和MEMS器件的研发效率62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。固态电池：锂金属界面阻抗降至 50Ω?cm2，电池循环寿命提升 3 倍。德国桌面无掩模光刻机

德国工艺：精密制造基因，10 年以上使用寿命，维护成本低，设备残值率达 60%。四川桌面无掩模光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸

针对碳化硅（SiC）功率?？榈恼ぜ淌茨烟?，Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制，较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备，将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%，开关损耗减少 20%，推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构，使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周，助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。四川桌面无掩模光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸