大尺寸晶圆的高效处理：Polos-BESM XL的优势！Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计，写入区域达155×155 mm，平台重复性精度0.1 μm，满足工业级需求。搭配20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头，实时观测与多层对准功能使其成为光子晶体和柔性电子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer软件简化复杂图案设计，内置高性能笔记本实现快速数据处理62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。Polos-BESM 光刻机：无掩模激光直写，50nm 精度，支持金属 / 聚合物同步加工，适配第三代半导体器件研发。上海POLOSBEAM-XL光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光，较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案，器件的电子迁移率达 2000 cm2/(V?s)，击穿电压提升至 1200V，远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀，刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%，助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。辽宁POLOSBEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米电子学应用：2μm 线宽光刻能力，第三代半导体器件研发效率提升 3 倍。

在科研领域，设备的先进程度往往决定了研究的深度与广度。德国的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻机 POLOS μ 带来了革新之光。它们运用无掩模激光光刻技术，摒弃了传统光刻中昂贵且制作周期长的掩模，极大降低了成本。这些光刻机可轻松输入任意图案进行曝光，在微流体、电子学和纳 / 微机械系统等领域大显身手。例如在微流体研究中，能precise制造复杂的微通道网络，助力药物传输、细胞培养等研究。在电子学方面，可实现高精度的电路图案曝光，为芯片研发提供有力支持。其占用空间小，对于空间有限的研究实验室来说堪称完美。凭借出色特性，它们已助力众多科研团队取得成果，成为科研创新的得力助手 。

在微流体研究领域，德国 Polos 光刻机系列凭借独特优势脱颖而出。其无掩模激光光刻技术，打破传统光刻的局限，无需掩模就能实现高精度图案制作。这使得科研人员在构建微通道网络时，可根据实验需求自由设计，快速完成从图纸到实体的转化。?以药物传输研究为例，利用 Polos 光刻机，能制造出尺寸precise、结构复杂的微通道，模拟人体环境，让药物在微小空间内可控流动，much提升药物传输效率研究的准确性。同时，在细胞培养实验中，该光刻机制作的微流体芯片，为细胞提供稳定且适宜的生长环境，助力细胞生物学研究取得新突破。小空间大作为的 Polos 光刻机，正推动微流体研究不断向前。Polos-μPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品，推动无掩模光刻技术普及。

SPS POLOS μ以桌面化设计降低设备投入成本，无需掩膜制备费用。其光束引擎通过压电驱动快速扫描，单次写入区域达400 μm，支持光刻胶如AZ5214E的高效曝光。研究案例显示，该设备成功制备了间距3 μm的微图案阵列和叉指电容器，助力纳米材料与柔性电子器件的快速原型验证。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。紧凑桌面设计：Polos-BESM系统only占桌面空间，适合实验室高效原型开发。陕西BEAM-XL光刻机让你随意进行纳米图案化

POLOS μ 光刻机：微型化机身，纳米级曝光精度，微流体芯片制备周期缩短 40%。上海POLOSBEAM-XL光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

某材料实验室利用 Polos 光刻机的亚微米级图案化能力，在铝合金表面制备出仿荷叶结构的超疏水涂层。其激光直写技术在 20μm 间距的微柱阵列上叠加 500nm 的纳米脊，使材料表面接触角达 165°，滚动角小于 3°。该涂层在海水环境中浸泡 30 天后，防腐蚀性能较未处理表面提升 10 倍。其灵活的图案编辑功能还支持在同一样品上实现超疏水与超亲水区域的任意组合，被用于微流控芯片的液滴定向输运，液滴驱动电压降低至传统方法的 1/3。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。上海POLOSBEAM-XL光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米