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POLOSBEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

来源: 发布时间:2025-06-14

一家专注于再生医学的科研公司在组织工程支架的研究上,使用德国 Polos 光刻机取得remarkable成果。组织工程支架需要具备特定的三维结构,以促进细胞的生长和组织的修复。Polos 光刻机能够根据预先设计的三维模型,在生物可降解材料上精确制造出复杂的孔隙结构和表面图案。通过该光刻机制造的支架,在动物实验中表现出优异的细胞黏附和组织生长引导能力。与传统制造方法相比,使用 Polos 光刻机生产的支架,细胞在其上的增殖速度提高了 50%,为组织工程和再生医学的临床应用提供了有力支持。多材料兼容:金属 / 聚合物 / 陶瓷同步加工,微流控芯片集成传感器一步成型。POLOSBEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

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石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移,Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列,成功制备出石墨烯场效应晶体管,其电子迁移率达 2×10? cm2/(V?s),接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结,使器件研发效率提升 5 倍,相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。重庆德国POLOS光刻机MAX层厚可达到10微米掩模制备时间归零,科研人员耗时减少 60%,项目交付周期缩短 50%。

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无掩模激光光刻技术为研究实验室提供了一种多功能的纳米/微米光刻工具,可用于创建亚微米级特征,并促进电路和器件的快速原型设计。经济高效的桌面配置使研究人员和行业从业者无需复杂的基础设施和设备即可使用光刻技术。应用范围扩展至微机电系统 (MEM)、生物医学设备和微电子器件的设计和制造,例如以下领域:医疗(包括微流体)、半导体、电子、生物技术和生命科学、先进材料研究。全球无掩模光刻系统市场规模预计在 2022 年达到 3.3606 亿美元,预计到 2028 年将增长至 5.0143 亿美元,复合年增长率为 6.90%。由于对 5G、AIoT、物联网以及半导体电路性能和能耗优化的需求不断增长,预计未来几十年光刻市场将持续增长。

Polos-BESM支持GDS文件直接导入和多层曝光叠加,简化射频器件(如IDC电容器)制造流程。研究团队利用类似设备成功制备高频电路元件,验证了其在5G通信和物联网硬件中的潜力。其高重复性(0.1 μm)确保科研成果的可转化性,助力国产芯片产业链突破技术封锁56。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。电子学应用:2μm 线宽光刻能力,第三代半导体器件研发效率提升 3 倍。

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某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻机开发了基于阻变存储器(RRAM)的存算一体架构。其激光直写技术在 10nm 厚度的 HfO?介质层上实现了 5nm 的电极边缘控制,器件的电导均匀性提升至 95%,计算能效比达 10TOPS/W,较传统 GPU 提升两个数量级。基于该技术的边缘 AI 芯片,在图像识别任务中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已应用于智能摄像头和无人机避障系统,相关芯片出货量突破百万片。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。能源收集:微型压电收集器效率 35%,低频振动发电支持无源物联网。河南德国POLOS桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

Polos-μPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品,推动无掩模光刻技术普及。POLOSBEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

上海有机化学研究所通过光刻技术制备多组分纳米纤维,实现了功能材料的精确组装。类似地,Polos系列设备可支持此类结构的可控加工,为新能源器件(如柔性电池)和智能材料提供技术基础3。设备的高重复性(0.1 μm)确保了科研成果的可转化性。掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。POLOSBEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

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