针对第三代半导体材料（SiC/GaN）的减薄需求，优普纳砂轮适配6吋、8吋晶圆，满足衬底片粗磨、精磨全流程。以东京精密HRG200X设备为例，6吋SiC线割片采用2000#砂轮粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂轮，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV稳定在2μm以下。DISCO设备案例中，8吋晶圆精磨后TTV≤2μm，适配性强，可替代日本、德国进口产品。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。优普纳砂轮的强度高微晶增韧陶瓷结合剂，赋予产品优异的耐磨性和韧性，确保在高负荷加工条件下的稳定性能。浙江Dmix+砂轮

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，凭借其专研的**高性能陶瓷结合剂**和**“Dmix+”制程工艺**，在第三代半导体材料加工领域树立了新的目标。这种独特的结合剂配方不只赋予了砂轮强度高和韧性，还通过多孔显微组织的设计，实现了高研削性能和良好的散热效果。在实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳的砂轮都能保持稳定的性能，减少振动和损伤，确保加工后的晶圆表面质量优异。这种技术优势不只满足了半导体制造的需求，还为国产化替代提供了坚实的技术支持。国产化砂轮客户反馈优普纳砂轮的低损耗特性，不仅延长了产品的使用寿命，还减少加工过程中的材料浪费，为客户带来成本节约。

在半导体制造等精密加工领域，精磨减薄砂轮发挥着举足轻重的作用。其工作原理基于磨料的磨削作用，通过砂轮高速旋转，磨粒与工件表面产生强烈摩擦，从而实现材料的去除与减薄。以江苏优普纳科技有限公司的精磨减薄砂轮为例，在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料的加工中，砂轮中的磨粒凭借自身极高的硬度，切入坚硬且脆性大的半导体材料表面。磨粒的粒度分布经过精心设计，从粗粒度用于高效去除大量材料，到细粒度实现精密的表面修整，整个过程如同工匠精心雕琢艺术品。在磨削过程中，结合剂的作用不可或缺，它牢牢把持磨粒，使其在合适的时机发挥磨削功能，同时又能在磨粒磨损到一定程度时，适时让磨粒脱落，新的锋利磨粒得以露出，这一过程被称为砂轮的自锐性。优普纳的砂轮在结合剂的研发上投入大量精力，通过优化结合剂配方，实现了磨粒把持力与自锐性的完美平衡，确保在长时间的磨削作业中，砂轮始终保持稳定且高效的磨削性能，为半导体晶圆的高质量减薄加工奠定坚实基础。

优普纳的多孔砂轮显微组织调控技术，通过优化砂轮内部孔隙率与分布，大幅提升冷却液渗透效率，解决传统砂轮因散热不足导致的晶圆微裂纹问题。在东京精密HRG200X设备上，6吋SiC晶圆粗磨时，砂轮磨耗比只15%，且加工过程中温升降低40%，表面粗糙度稳定在Ra≤30nm。该技术不只延长砂轮寿命20%，还可适配高转速磨床，助力客户实现高效、低成本的批量生产。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。通过优化砂轮的基体设计，优普纳产品有效减少加工过程中的振动，提升加工精度，增强冷却效果 延长使用寿命。

随着制造业的不断发展，市场对高性能磨削工具的需求日益增加。激光改质层减薄砂轮凭借其优越的性能，逐渐成为各类加工行业的优先选择工具。特别是在航空航天、汽车制造、模具加工等制造领域，激光改质层减薄砂轮的应用愈发增加。这些行业对产品的精度和表面质量要求极高，而激光改质层减薄砂轮能够在保证加工质量的同时，提高生产效率，降低生产成本。此外，随着环保意识的增强，激光改质层减薄砂轮的低磨损特性也符合可持续发展的要求，进一步推动了其市场需求的增长。砂轮于东京精密-HRG200X减薄机上，使8吋SiC线割片磨耗比达300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰显高精度与高磨耗比优势。氮化镓砂轮硬度

通过多孔显微组织调控技术，砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上加工8吋SiC线割片 磨耗比30%，Ra≤30nm TTV≤3μm。浙江Dmix+砂轮

作为激光改质层减薄砂轮的专业制造商，江苏优普纳科技有限公司凭借先进的生产设备和技术团队，在行业内树立了良好的口碑。我们致力于研发高性能的磨削工具，以满足客户在不同加工领域的需求。公司拥有一系列自主研发的激光改质技术，能够根据客户的具体要求，提供定制化的砂轮解决方案。此外，江苏优普纳科技有限公司注重与客户的沟通与合作，提供全方面的技术支持和服务，确保客户在使用我们的产品时能够获得更佳的加工效果。我们相信，凭借我们的技术优势和服务理念，江苏优普纳科技有限公司将在激光改质层减薄砂轮市场中继续保持先进地位。浙江Dmix+砂轮