单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的，能通过的电流大小也是一定的。因此，由单个电力电子器件组成的电力电子装置容量受到限制。所以，在实用中多用几个电力电子器件串联或并联形成组件，其耐压和通流的能力可以成倍地提高，从而可极大地增加电力电子装置的容量。器件串联时，希望各元件能承受同样的正、反向电压；并联时则希望各元件能分担同样的电流。但由于器件的个异性，串、并联时，各器件并不能完全均匀地分担电压和电流。所以，在电力电子器件串联时，要采取均压措施；在并联时，要采取均流措施。 电力电子器件工作时，会因功率损耗引起器件发热、升温。器件温度过高将缩短寿命，甚至烧毁，这是限制电力电子器件电流、电压容量的主要原因。为此，必须考虑器件的冷却问题。常用冷却方式有自冷式、风冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸发冷却式等。各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。溧阳关于电子器件销售相关问题

电子元件是电子电路中的基本元素，通常是个别封装，并具有两个或以上的引线或金属接点。电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路，例如：放大器、无线电接收机、振荡器等，连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。电子元件也许是单独的封装（电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等），或是各种不同复杂度的群组，例如：集成电路（运算放大器、排阻、逻辑门等）。 电子器件是指在真空、气体或固体中，利用和控制电子运动规律而制成的器件。分为电真空器件、充气管器件和固态电子器件。在模拟电路中作整流、放大、调制、振荡、变频、锁相、控制、相关等作用；在数字电路中作采样、限幅、逻辑、存储、计数、延迟等用。充气管器件主要作整流、稳压和显示之用。固态电子器件如集成电路。无锡科技化电子器件销售均价进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。

电力二极管：结构和原理简单，工作可靠； 晶闸管：承受电压和电流容量在所有器件中*高 IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 电力MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 制约因素：耐压，电流容量，开关的速度

进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。70年代中期发展起来的单极型MOS功率场效应晶体管， 由于不受少子储存效应的限制，能够在兆赫以上的频率下工作。这种器件的导通电流具有负温度特性，不易出现热激发二次击穿现象；需要扩大电流容量时，器件并联简单，且具有较好的线性输出特性和较小的驱动功率；在制造工艺上便于大规模集成。但它的通态压降较大，制造时对材料和器件工艺的一致性要求较高。到80 年代中、后期电流容量jin达数十安，阻断电压近千伏。电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏。

为了保持电子元件运作的稳定性，通常将它们以合成树脂（Resin dispensing）包覆封装，以提高绝缘与保护不受环境的影响。?[1]? 元件也许是被动或有源的（passive or active）：被动元件（Passive components）是一种电子元件，在使用时它们没有任何的增益或方向性。在电路分析（Network analysis）时，它们被称为电力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一种电子元件，相对于被动元件所没有的，在使用时它们有增益或方向性。它们包括了半导体器件与真空管。 端子与连接器：用于电路连接的装置 端子（Terminal）： 电子连接器（Connector）：（Closed）、信号插座（Socket）、端子台（Screw terminal, Terminal Blocks）、信号接头（Header）。电力电子器件的优缺点。惠山区口碑好的电子器件销售推荐货源

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。溧阳关于电子器件销售相关问题

电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。80年代晶闸管的电流容量已达6000安，阻断电压高达6500伏。但这类器件工作频率较低。提高其工作频率，取决于器件关断期间如何加快基区少数载流子(简称少子)的复合速度和经门极抽取更多的载流子。降低少子寿命虽能有效地缩短关断电流的过程，却导致器件导通期正向压降的增加。因此必须兼顾转换速度和器件通态功率损耗的要求。80年代这类器件的*高工作频率在 10千赫以下。双极型大功率晶体管可以在100千赫频率下工作，其控制电流容量已达数百安，阻断电压1千多伏,但维持通态比其他功率可控器件需要更大的基极驱动电流。由于存在热激发二次击穿现象，限制它的抗浪涌能力。溧阳关于电子器件销售相关问题

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