为了保持电子元件运作的稳定性，通常将它们以合成树脂（Resin dispensing）包覆封装，以提高绝缘与保护不受环境的影响。?[1]? 元件也许是被动或有源的（passive or active）：被动元件（Passive components）是一种电子元件，在使用时它们没有任何的增益或方向性。在电路分析（Network analysis）时，它们被称为电力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一种电子元件，相对于被动元件所没有的，在使用时它们有增益或方向性。它们包括了半导体器件与真空管。 端子与连接器：用于电路连接的装置 端子（Terminal）： 电子连接器（Connector）：（Closed）、信号插座（Socket）、端子台（Screw terminal, Terminal Blocks）、信号接头（Header）。80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。金坛区环保电子元件销售价格实惠

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。 80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性，又具有双极型功率晶体管的电流传导性能，它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点，结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程，所以比一般晶闸管有更高的开关速度，而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件，在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。宜兴技巧电子元件销售推荐货源电子元件的元件分类：端子与连接器。

20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管，因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快，而在电力电子电路中得到广fan应用。70年代初期，已逐步取代了汞弧闸流管。80年代，普通晶闸管的开关电流已达数千安，能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上，为适应电力电子技术发展的需要，又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件，以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合?？楹凸β始傻缏返刃滦偷缌Φ缱悠骷?。

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类： 1.半控型器件，例如晶闸管； 2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）； 3.不可控器件，例如电力二极管。 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类： 1.电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）； 2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类： 1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO； 2.电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类： 1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR； 2.单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管； 3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。

功率集成电路指在一个芯片上把多个器件及其控制电路集he在一起。其制造工艺既概括了第yi代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验，又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件由于很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积，因而能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响，这对提高电路工作频率和抑zhi外界干扰十分重要。 近期进展：2014年，美国奥巴马政fu连同企业一道投资1.4亿美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute，发展新一代宽禁带电力半导体器件。电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。溧阳科技化电子元件销售源头好货

各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。金坛区环保电子元件销售价格实惠

电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。80年代晶闸管的电流容量已达6000安，阻断电压高达6500伏。但这类器件工作频率较低。提高其工作频率，取决于器件关断期间如何加快基区少数载流子(简称少子)的复合速度和经门极抽取更多的载流子。降低少子寿命虽能有效地缩短关断电流的过程，却导致器件导通期正向压降的增加。因此必须兼顾转换速度和器件通态功率损耗的要求。80年代这类器件的*高工作频率在 10千赫以下。双极型大功率晶体管可以在100千赫频率下工作，其控制电流容量已达数百安，阻断电压1千多伏,但维持通态比其他功率可控器件需要更大的基极驱动电流。由于存在热激发二次击穿现象，限制它的抗浪涌能力。金坛区环保电子元件销售价格实惠

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