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武进区质量电子器件销售诚信服务

来源: 发布时间:2020-10-21

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管); 3.不可控器件,例如电力二极管。 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类: 1.电压驱动型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(静电感应晶闸管); 2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR。 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类: 1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO; 2.电子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类: 1.双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR; 2.单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管; 3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。武进区质量电子器件销售诚信服务

从60年代到70年代初期,以半控型普通晶闸管为dai表的电力电子器件,主要用于相控电路。这些电路十分广fan地用在电解、电镀、直流电机传动、发电机励磁等整流装置中,与传统的汞弧整流装置相比,不jin体积小、工作可靠,而且取得了十分明显的节能效果(一般可节电10~40%,从中国的实际看,因风机和泵类负载约占全国用电量的1/3,若采用交流电动机调速传动, 可平均节电20%以上,每年可节电400亿千瓦时),因此电力电子技术的发展也越来越受到人们的重视。70年代中期出现的全控型可关断晶闸管和功率晶体管,开关速度快,控制简单,逆导可关断晶闸管更兼容了可关断晶闸管和快速整流二极管的功能。它们把电力电子技术的应用推进到了以逆变、斩波为中心内容的新领域。这些器件已普遍应用于变频调速、开关电源、静止变频等电力电子装置中。新吴区技巧电子器件销售多长时间20世纪50年代,电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。

电力二极管:结构和原理简单,工作可靠; 晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中*高 IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电力MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 制约因素:耐压,电流容量,开关的速度

功率集成电路指在一个芯片上把多个器件及其控制电路集he在一起。其制造工艺既概括了第yi代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验,又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件由于很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积,因而能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响,这对提高电路工作频率和抑zhi外界干扰十分重要。 近期进展:2014年,美国奥巴马政fu连同企业一道投资1.4亿美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,发展新一代宽禁带电力半导体器件。功率器件几乎用于所有的电子制造业。

20世纪50年代,电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管,因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快,而在电力电子电路中得到广fan应用。70年代初期,已逐步取代了汞弧闸流管。80年代,普通晶闸管的开关电流已达数千安,能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上,为适应电力电子技术发展的需要,又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件,以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合模块和功率集成电路等新型电力电子器件。电子元件的元件分类:电线与开关。惠山区是什么电子器件销售推荐货源

电子元件是电子电路中的基本元素。武进区质量电子器件销售诚信服务

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