进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。70年代中期发展起来的单极型MOS功率场效应晶体管, 由于不受少子储存效应的限制,能够在兆赫以上的频率下工作。这种器件的导通电流具有负温度特性,不易出现热激发二次击穿现象;需要扩大电流容量时,器件并联简单,且具有较好的线性输出特性和较小的驱动功率;在制造工艺上便于大规模集成。但它的通态压降较大,制造时对材料和器件工艺的一致性要求较高。到80 年代中、后期电流容量jin达数十安,阻断电压近千伏。20世纪50年代,电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。金坛区技巧电子器件销售网上价格
电子元件是电子电路中的基本元素,通常是个别封装,并具有两个或以上的引线或金属接点。电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路,例如:放大器、无线电接收机、振荡器等,连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。电子元件也许是单独的封装(电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等),或是各种不同复杂度的群组,例如:集成电路(运算放大器、排阻、逻辑门等)。 电子器件是指在真空、气体或固体中,利用和控制电子运动规律而制成的器件。分为电真空器件、充气管器件和固态电子器件。在模拟电路中作整流、放大、调制、振荡、变频、锁相、控制、相关等作用;在数字电路中作采样、限幅、逻辑、存储、计数、延迟等用。充气管器件主要作整流、稳压和显示之用。固态电子器件如集成电路。江阴环保电子器件销售生产厂家按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类。
20世纪50年代,电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管,因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快,而在电力电子电路中得到广fan应用。70年代初期,已逐步取代了汞弧闸流管。80年代,普通晶闸管的开关电流已达数千安,能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上,为适应电力电子技术发展的需要,又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件,以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合??楹凸β始傻缏返刃滦偷缌Φ缱悠骷?。
功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。 除了保证这些设备的正常运行以外,功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高,中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。 国家统计局数据显示,2010年中国功率器件行业共有规模以上企业498家,全行业实现销售收入1015.11亿元,同比增长6.86%;实现利润总额85.27亿元,同比增长47.54%。从企业经济类型来看,三资企业数量*多,其企业数量占行业数量的47.19%。从企业数量、销售收入以及资产规模来看,江苏、广东和浙江等省所占的份额居多功率器件几乎用于所有的电子制造业。
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管); 3.不可控器件,例如电力二极管。 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类: 1.电压驱动型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(静电感应晶闸管); 2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR。 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类: 1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO; 2.电子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类: 1.双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR; 2.单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管; 3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。电子元件的元件分类:电线与开关。电子器件销售生产厂家
单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的,能通过的电流大小也是一定的。金坛区技巧电子器件销售网上价格
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠; 晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中*高 IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率??;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电力MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 制约因素:耐压,电流容量,开关的速度金坛区技巧电子器件销售网上价格
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