进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。70年代中期发展起来的单极型MOS功率场效应晶体管， 由于不受少子储存效应的限制，能够在兆赫以上的频率下工作。这种器件的导通电流具有负温度特性，不易出现热激发二次击穿现象；需要扩大电流容量时，器件并联简单，且具有较好的线性输出特性和较小的驱动功率；在制造工艺上便于大规模集成。但它的通态压降较大，制造时对材料和器件工艺的一致性要求较高。到80 年代中、后期电流容量jin达数十安，阻断电压近千伏。功率器件几乎用于所有的电子制造业。宜兴正规电子元件销售相关问题

为了保持电子元件运作的稳定性，通常将它们以合成树脂（Resin dispensing）包覆封装，以提高绝缘与保护不受环境的影响。?[1]? 元件也许是被动或有源的（passive or active）：被动元件（Passive components）是一种电子元件，在使用时它们没有任何的增益或方向性。在电路分析（Network analysis）时，它们被称为电力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一种电子元件，相对于被动元件所没有的，在使用时它们有增益或方向性。它们包括了半导体器件与真空管。 端子与连接器：用于电路连接的装置 端子（Terminal）： 电子连接器（Connector）：（Closed）、信号插座（Socket）、端子台（Screw terminal, Terminal Blocks）、信号接头（Header）。无锡质量电子元件销售20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。 80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性，又具有双极型功率晶体管的电流传导性能，它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点，结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程，所以比一般晶闸管有更高的开关速度，而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件，在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。

20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管，因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快，而在电力电子电路中得到广fan应用。70年代初期，已逐步取代了汞弧闸流管。80年代，普通晶闸管的开关电流已达数千安，能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上，为适应电力电子技术发展的需要，又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件，以及单极型MOS功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合模块和功率集成电路等新型电力电子器件。单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的，能通过的电流大小也是一定的。

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类： 1.半控型器件，例如晶闸管； 2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）； 3.不可控器件，例如电力二极管。 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类： 1.电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）； 2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类： 1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO； 2.电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类： 1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR； 2.单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管； 3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类。新吴区科技化电子元件销售均价

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