级联是串联还是并联在电气工程领域，特别是防雷技术中，级联策略被视为确保电气系统安全运行的关键。级联，无论是串联还是并联，都是将多个组件或系统按特定方式连接起来以实现更高性能、可靠性或效率的方法1。串联级联串联级联是指将设备首尾相连，电流依次流过每个设备。这种设计能避**一防雷器因过载而失效的。包括逐级降压，确保雷电流在到达敏感设备前被逐步削减，减少对末端设备的影响；冗余保护，即使某一级防雷器出现故障，后续级别的保护依然，提高了系统的整体可靠性1。并联级联并联级联则是在同一节点部署多个防雷器，它们共同承担雷电流的冲击。这种策略特别适用于高流量和高能量的环境，如大型数据中心或工业设施。包括快响应，可以同时处理雷电流，***缩短了系统响应时间，提高了防护效率；负载均衡，多个防雷器共享负载，减少了单个设备的压力，延长了设备寿命1。结论综上所述，级联既可以是串联也可以是并联，具体取决于应用场景和设计需求。在防雷系统中，串联级联和并联级联各有优缺点。 7-10串锂电池保护NTC/SSOP20 多节锂电池保护——二级保护XBM7102。苏州XBM5773赛芯现货

 XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。苏州XBM5773赛芯现货3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积） 内置MOS，集成均衡功能

XBM7101集成均衡NTC/Sense保护芯片、10串锂电池保护芯片介绍,功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能锂保PCB应用注意事项-布局。

10 串锂电池保护芯片介绍,XBM7101集成均衡NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好。苏州XBM4451赛芯代理

移动电源soc芯片 DS5136B+EPP无线充 22.5W 单串移动电源+无线充.苏州XBM5773赛芯现货

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 苏州XBM5773赛芯现货