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深圳2V1EAE赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

来源: 发布时间:2025-04-24

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锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计,锂电保护的GND接电池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的,VT脚通常可接芯片GND(B-),或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与,滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰,使得VDD电压尽量稳定,该电阻和电容缺一不可,缺少任何一个都会有少烧芯片的可能,增加生产的不良率(XB5432不加电容)。不同IC的电阻取值有差异,请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等,可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个,可以增强锂电保护电路的系统级ESD,增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用,减小内阻,增强持续电流,多芯片并联使用时,芯片VDD的RC网络,电阻可共用,但电容须要一个保护芯片配一个电容。

    DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护:电池充电过程中,DS3056B实时监测输入电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭充电通路。过流保护:充电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,触发过流保护,芯片自动关闭充电通路。过温保护:电池充放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时,首先降低功率。如果降低功率仍然无法过温,则自动关闭充电通路。电池过充保护:充电过程中,实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时,自动关闭充电通路。 带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。

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10 串锂电池保护芯片介绍,XBM7101集成均衡NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30 开漏。天津XBM3212JFG赛芯方案公司

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