3串锂电池?；ば酒樯?XBM3360  3串集成Sense/SOP8  ?；ば酒δ芑颈；すδ埽憾粤浇诮诖稍俪涞顼胱?锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?；?，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：3串锂电池的?；ば酒缏返墓缌鞅；ゃ兄涤煽豈OS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能在输入端的NTC热敏电阻，是靠充电器的输入电流来加热，降低电阻。上海XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保

    电池均衡IC介绍定义及作用电池均衡IC是电池管理系统中的关键组件，主要用于确保电池组中各个单体电池之间的电压、容量等参数保持一致。在锂电池串联使用过程中，由于电池个体差异、使用环境不同等因素，会导致单体电池的电压和容量出现不一致的情况，这不仅会影响电池组的整体性能，还可能缩短电池的使用寿命。电池均衡IC通过对电池进行均衡充电或放电，使各个单体电池的状态趋于一致，从而延长电池组的使用寿命并提升其性能\电池均衡方法负载消耗型均衡在每节电池上并联一个电阻，串联一个开关做。当某节电池电压过高时，打开开关，充电电流通过电阻分流，使电压高的电池充电电流小，电压低的电池充电电流大，从而实现电池电压的均衡。但这种方式只能适用于小容量电池1。 南京XBM4451赛芯厂家多串锂保应用注意事项布局。

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级?；ば酒?，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放?；?。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。?；ぱ邮蹦谥每裳。嚎筛莶煌τ贸【把≡窈鲜实谋；ぱ邮?。内置断线?；すδ埽裳。涸黾恿说绯厥褂玫陌踩?。输出方式可?。河蠧MOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可?。憾涑鯤、动态输出。

2串锂保集成MOS  船运模式 XBM325 两串锂电池?；ば酒樯?5W以内  2串锂保集成MOS  内置均衡  船运模式：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?；?，同时具备电池反接?；すδ?，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流?；ゃ兄档鹘冢罕；ば酒δ芑颈；すδ埽憾粤浇诮诖稍俪涞顼胱?锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?；?，同时具备电池反接?；すδ?，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流?；ゃ兄档鹘?，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能多节锂电池?；さ缏罚?XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。

XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense?；ば酒?nbsp; 、6--7串锂电池?；ば酒樯?XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本?；すδ埽憾粤浇诮诖稍俪涞顼胱?锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?；?，同时具备电池反接?；すδ?，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流?；ゃ兄档鹘冢?-7串锂电池的?；ば酒缏返墓缌鞅；ゃ兄涤煽豈OS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能XF5131是赛芯退出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。惠州XBM7101赛芯内置MOS 两节锂保

可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。上海XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电?；た梢灾苯硬⒘?，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电?；C都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 上海XBM3214DBA赛芯内置MOS 两节锂保